[发明专利]半导体器件

说明书

改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。

相关申请的交叉引用

这里通过引用并入2013年8月28日提交的日本专利申请No.2013-176460的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要。

技术领域

本发明涉及半导体器件，该半导体器件可以优选地用于例如由氮化物半导体材料制成的MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管)。

背景技术

近年来，已经提出由氮化物半导体材料制成的功率MISFET。

例如，日本未审专利申请公开No.2010-135824公开了一种由氮化物半导体制成的半导体器件，其包括连接到导电衬底的第一源极电极和朝着漏极电极延伸使得覆盖栅极电极上侧的第二源极电极。

同样，日本未审专利申请公开No.2010-027734公开了一种氮化物半导体器件，其中源极焊盘和栅极焊盘形成在组件芯片的一个表面之上，漏极电极形成在该组件芯片的另一表面之上，并且铝导线接合到漏极电极。

同样，日本未审专利申请公开No.2008-177527公开了一种氮化物半导体器件，其中第一电极形成在氮化物半导体层的有源区域中，并且电连接到第一电极的第一电极焊盘形成在覆盖栅极电极的层间绝缘膜的上部区域中。

发明内容

研究了作为功率MISFET的材料的从硅(Si)到氮化镓(GaN)的转变。然而，由于氮化镓(GaN)是压电特性高的材料，所以在氮化镓(GaN)中容易产生极化电荷。因此，由氮化镓(GaN)制成的功率MISFET在器件特性上存在问题，例如阈值电压和通态电阻的波动。

其它问题和新颖特征将从本说明书和附图的描述中变得显而易见。

在一个实施例中，应变松弛膜被布置在保护功率MISFET的树脂膜和功率MISFET之间。应变松弛膜抑制从树脂膜施加到功率MISFET的应力。

根据一个实施例，可以改进由氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。

附图说明

图1是图示现有技术中功率MISFET的配置示例的截面图；

图2是图示根据第一实施例的功率MISFET的配置示例的局部放大平面图；

图3是沿着图2的线A-A所取的截面图；

图4是图示根据第一实施例的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图5是示出继图4之后的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图6是示出继图5之后的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图7是示出继图6之后的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图8是示出继图7之后的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图9是示出继图8之后的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图10是示出继图9之后的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图11是示出继图10之后的制造功率MISFET的工艺的截面图；

图12是图示根据第二实施例的功率MISFET的配置示例的局部放大平面图；

图13是沿着图12的线B-B所取的截面图；