[发明专利]用于高速闪存存储器系统的位线调节器

权利要求书

1.一种存储器系统，包括：

存储器单元的阵列，其被组织为行和列，其中，存储器单元中的每一列存储器单元耦合至位线；以及

位线调节器，用于将偏置电压施加至每一个位线，所述位线调节器包括：

第一电路，用于输出多个微调位；以及

第二电路，响应于所述多个微调位调整所述偏置电压。

2.权利要求1所述的存储器系统，其中，所述第一电路基于所述偏置电压和参考电压的比较来生成微调位。

3.权利要求1所述的存储器系统，其中，所述第一电路包括：

采样和保持电路，用于基于所述偏置电压生成采样电压；

比较器，用于比较所述采样电压和参考电压并生成输出；

判优器，用于接收来自所述比较器的所述输出并生成所述微调位。

4.权利要求1所述的存储器系统，其中，所述第二电路包括：

升压电路，用于响应于所述微调位之一调整所述输出强度。

5.权利要求4所述的存储器系统，其中，所述第二电路包括：

多个升压电路，每一个升压电路响应于微调位，用于调整所述输出强度。

6.权利要求4所述的存储器系统，其中，所述第二电路进一步包括：

控制信号，用于使能所述升压电路。

7.权利要求5所述的存储器系统，其中，所述第二电路进一步包括：

控制信号，用于使能所述多个升压电路。

8.权利要求1所述的存储器系统，其中，所述存储器单元包括闪存存储器单元。

9.一种存储器系统，包括：

存储器单元的阵列，其被组织为行和列，其中，存储器单元中的每一列存储器单元耦合至位线；以及

位线调节器，用于将偏置电压施加至每一个位线，所述位线调节器包括：

采样和保持电路，用于基于所述偏置电压生成采样电压；

比较器，用于比较所述采样电压和参考电压并生成输出；

判优器，用于接收来自所述比较器的所述输出并生成微调位；以及

升压电路，用于响应于所述微调位中的一或多个微调位调整所述输出强度。

10.权利要求9所述的存储器系统，其中，所述存储器单元包括闪存存储器单元。

11.权利要求9所述的存储器系统，其中，所述微调位包括8个位。

12.权利要求9所述的存储器系统，其中，所述参考电压是1.0伏特。

13.权利要求9所述的存储器系统，其中，所述判优器包括控制器。

14.权利要求9所述的存储器系统，其中，所述判优器包括离散逻辑。

15.一种调整存储器系统中的位线的偏置电压的方法，包括：

对所述位线的电压进行采样以生成采样电压；

比较所述采样电压和参考电压以生成输出；

响应于所述输出生成多个微调位；

响应于所述多个微调位改变所述偏置电压。

16.权利要求15所述的方法，其中，所述改变步骤由位线调节器执行。

17.权利要求15所述的方法，其中，所述改变步骤包括将一或多个升压电路耦合至所述位线。

18.权利要求15所述的方法，其中，所述改变步骤由控制信号使能。

19.权利要求15所述的方法，其中，所述参考电压是1.0伏特。

20.权利要求15所述的方法，进一步包括使用所述位线来读取存储器单元。