[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供一基底，该基底包括一第一区、一第二区以及一第三区，其中该第一区的该基底的顶面低于该第二区的该基底的顶面，该第三区位于该第一区与该第二区之间，该第三区的该基底具有一第一阶梯高度；

于该基底上共形地形成一叠层，在该第三区中的该叠层具有一第二阶梯高度；

于该叠层上形成一流动材料层；

对该流动材料层进行一第一刻蚀工艺，以移除部分该流动材料层；

以位于该第一区中的该流动材料层为掩模，对该第二区与该第三区的该叠层进行一第二刻蚀工艺，以暴露该第二区的该基底的顶面；以及

移除该流动材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该流动材料层的材料包括一有机材料、一无机材料或是一有机无机复合材料。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该流动材料层的材料包括一有机材料，该有机材料包括光刻胶(PR)、有机底层材料(ODL)、底抗反射涂布(BARC)、旋涂式玻璃(SOG)或其组合。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该叠层包括多个介电层与多个导体层，这些介电层与这些导体层相互叠层，其中该第二刻蚀工艺对这些介电层的刻蚀速率等于对这些导体层的刻蚀速率。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中对该流动材料层进行该第一刻蚀工艺后，裸露出该第二区的该叠层。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中对该流动材料层进行该第一刻蚀工艺后，留在该第一区的该流动材料层的厚度大于留在该第二区的该流动材料层的厚度，且大于该第二阶梯高度。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中对该流动材料层进行该第一刻蚀工艺后，在该第一区的该流动材料层的厚度大于留在该第二区的该流动材料层的厚度，且小于该第二阶梯高度。

8.一种半导体元件，包括：

一基底，包括一第一区、一第二区以及一第三区，其中该第三区配置于该第一区与该第二区之间，该第一区的该基底的顶面低于该第二区的该基底的顶面，该第三区的该基底具有一第一阶梯高度，该第一区为存储单元阵列区，该第二区为周边电路区；以及

一叠层，配置于该第一区与该第三区的该基底上，其中在该第一区与该第三区中的该叠层的顶面与在该第二区中的该基底的顶面共平面。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其中在该第三区中的该叠层的顶面等于或低于该第二区中的该基底的顶面。

10.根据权利要求8所述的半导体元件，其中该第三区的宽度为40nm至140nm。