[发明专利]一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法

权利要求书

1.一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：包括以下步骤：

步骤一、采用流延成型技术制成YSZ生瓷片，将YSZ生瓷片在空气中进行排胶后，放入烧结炉中烧结，得到锆基固体电解质基层(1)；

步骤二、将重铬酸钾、甲醛、柠檬酸按摩尔比1:6:0.6混合后溶解于去离子水中，将混合溶液转入反应釜中反应得到凝胶，得到的凝胶水洗后干燥得到Cr₂O₃粉末，再将Cr₂O₃粉末煅烧得到片状Cr₂O₃粉体，然后将片状Cr₂O₃粉体溶入高分子化学试剂中，配制出Cr₂O₃电极浆料；

步骤三、将步骤二中配制的Cr₂O₃电极浆料，采用丝网印刷技术步骤一得到的锆基固体电解质基层(1)的一侧制出片状多孔Cr₂O₃敏感电极后，放入干燥箱干燥；

步骤四、在所述的片状多孔Cr₂O₃敏感电极(2)上点涂Pt浆(4)，并引出电极引线(5)；

步骤五、在所述的锆基固体电解质基层(1)的另一侧，采用丝网印刷技术将铂金浆料制出多孔Pt参比电极(3)，并引出电极引线(5)；

步骤六、将已制出片状多孔Cr₂O₃敏感电极(2)和多孔Pt参比电极(3)的锆基固体电解质基层(1)烧结成型，得到锆基一氧化氮传感器。

2.一种根据权利要求1所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤一中YSZ生瓷片的厚度为0.3mm至1mm。

3.一种根据权利要求2所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤一中排胶温度为350℃至400℃，排胶时间为20小时。

4.一种根据权利要求3所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤一中烧结温度为1200℃至1400℃，烧结时间为2小时。

5.一种根据权利要求4所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤二中在反应釜中的反应温度为180℃，反应时间为1小时。

6.一种根据权利要求5所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤二中干燥温度为140℃。

7.一种根据权利要求6所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤二中煅烧温度为1000℃，煅烧时间为2小时。

8.一种根据权利要求7所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的高分子化学试剂为异戊醇。

9.一种根据权利要求8所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤三中在干燥箱干燥的时间为2小时。

10.一种根据权利要求9所述的一种高选择性锆基一氧化氮传感器的制备方法，其特征是：所述的步骤六中烧结温度为900至1000℃，烧结时间为2小时。