[发明专利]一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法

权利要求书

1.一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法，其特征在于：包括以下步骤：

（a）采用混合酸溶液对硅片表面进行处理，使硅片表面形成多孔结构；

（b）DI水清洗硅片表面：采用DI水对硅片表面进行清洗；

（c）制绒：将硅片浸入氢氧化钠、无水乙醇或异丙醇组成的碱性混合溶液中进行制绒；

（d）混酸溶液清洗：将硅片浸入氢氟酸溶液及盐酸溶液混合的混合酸溶液中进行清洗；

（e）DI水清洗并烘干：用DI水清洗硅片表面后烘干。

2.根据权利要求1所述的一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法，其特征在于：步骤（a）中所述的混合酸溶液为由氢氟酸和硝酸混合的酸溶液，其中氢氟酸溶液与硝酸溶液的体积比例为1:2-6:1，混合酸溶液的处理温度为0-30℃，处理时间为0.5-10min。

3.根据权利要求1所述的一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法，其特征在于：步骤（b）中所述的DI水，其清洗温度为0-70℃，清洗时间为0.1-10min。

4.根据权利要求1所述的一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法，其特征在于：步骤（c）中所述的碱性混合溶液，其中氢氧化钠的浓度为0.5-5%、无水乙醇或异丙醇的浓度为0.1-5%，制绒时间为0.2-30min，制绒温度为50-100℃。

5.根据权利要求1所述的一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法，其特征在于：步骤（d）中所述的混合酸溶液，其中氢氟酸溶液的浓度为0.5-40%，盐酸的浓度为0-30%，清洗时间为0.1-10min，清洗温度为0-60℃。

6.根据权利要求1所述的一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法，其特征在于：步骤（e）中所述的DI水，其清洗温度为0-70℃，清洗时间为0.2-10min；烘干温度为50-200℃，烘干时间为0.5-20min。