[发明专利]低导热薄膜、其制法及具有该薄膜的薄膜蒸馏装置有效

专利信息
申请号: 201410431298.1 申请日: 2014-08-28
公开(公告)号: CN104740887A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 黄盟舜;何佳桦;苏育央;洪仁阳;梁德明;杨翠容 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: B01D1/22 分类号: B01D1/22;B32B27/02;B32B27/18;D01F6/48;D01F1/10
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;常大军
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 导热 薄膜 制法 具有 蒸馏 装置
【权利要求书】:

1.一种低导热薄膜的制法,其特征在于,包括:

提供经改质且具有疏水性的多个中孔洞粒子;以及

将该经改质的多个中孔洞粒子混合于具有聚合物的溶液中,以得到电纺溶液,并静电纺丝该电纺溶液以得到该低导热薄膜。

2.如权利要求1的低导热薄膜的制法,其特征在于,该经改质的中孔洞粒子的材质为二氧化硅、活性碳、碳黑、纳米碳管、或石墨烯。

3.如权利要求1的低导热薄膜的制法,其特征在于,该经改质的中孔洞粒子的孔径为2至5nm,粒径为0.3至4μm、孔隙率为45%至80%。

4.如权利要求1的低导热薄膜的制法,包括制备该经改质的多个中孔洞粒子,其特征在于,该制备方法包括:

将具有疏水基团的前体分散于含表面活性剂的溶液中,以进行自组装反应;以及

移除该表面活性剂,以得到表面与孔洞内表面中嫁接有该疏水基团的该经改质的中孔洞粒子。

5.如权利要求1的低导热薄膜的制法,其特征在于,包括制备该经改质的多个中孔洞粒子,且该制备方法利用接枝法将疏水基团嫁接至中孔洞粒子的表面与孔洞内表面中。

6.如权利要求4或5的低导热薄膜的制法,其特征在于,该疏水基团为C1-C10烷基、乙烯基、丙烯基、或苯基。

7.如权利要求1的低导热薄膜的制法,其特征在于,该经改质的多个中孔洞粒子的混合量占该电纺溶液的1至50wt%。

8.如权利要求1的低导热薄膜的制法,其特征在于,该聚合物选自PP、PTFE、PVDF及聚二氟乙烯-六氟丙烯(PVDF-co-HFP)所组成组的至少一种。

9.一种低导热薄膜,其特征在于,包括:

多个层聚合物纤维层,各该聚合物纤维层包括多个聚合物纤维;以及

经改质的多个中孔洞粒子,位于各聚合物纤维层层间、至少一聚合物纤维中、或该聚合物纤维层中的多个聚合物纤维之间,且该低导热薄膜中的经改质的中孔洞粒子含量为1至50wt%。

10.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,该聚合物纤维选自PP、PTFE、PVDF及聚二氟乙烯-六氟丙烯所组成组的至少一种。

11.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,该经改质的中孔洞粒子的材质为二氧化硅、活性碳、碳黑、纳米碳管、或石墨烯。

12.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,该经改质的中孔洞粒子的孔径为2至5nm,粒径为0.3至4μm、孔隙率为45%至80%。

13.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,该经改质的中孔洞粒子具有疏水基团,且该疏水基团为C1-C10烷基、乙烯基、丙烯基、或苯基。

14.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,具有尺寸为0.05至1μm的多个孔洞,且该低导热薄膜的孔隙率为40%至81%,接触角大于或等于120度至140度,特性保温值为0.09℃·m2/W至0.12℃·m2/W。

15.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,厚度为30至90μm。

16.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,该聚合物纤维的直径为200至230nm。

17.如权利要求9的低导热薄膜,其特征在于,还包括支撑材,其形成于该低导热薄膜的一侧表面。

18.一种薄膜蒸馏装置,其特征在于,包括:

容槽;以及

如权利要求9所述的低导热薄膜,其设于该容槽中,以分隔出高温室和低温室,其中,该高温室供注入待处理水,该低温室接收自该低导热薄膜产出的渗透水。

19.如权利要求18的薄膜蒸馏装置,其特征在于,还包括热交换器,以维持该待处理水的温度及其与该渗透水的温差。

20.如权利要求18的薄膜蒸馏装置,其特征在于,还包括另一热交换器,以冷凝该渗透水。

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