[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于阵列基板测试技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

ADS(Advanced super Dimension Switch，高级超维场转换)模式的液晶显示装置具有开口率高、视角宽等优点，故已经获得了广泛的应用。

如图1、图2所示，一种现有的ADS模式的阵列基板包括基底9，基底9上设有数据线81、栅极线82、薄膜晶体管(包括有源区7、源极71、漏极72、栅极、栅绝缘层73)等已知结构。其中，薄膜晶体管的漏极72连接像素电极1，像素电极1上方有绝缘层2(PVX)，绝缘层2上方为具有狭缝39的公共电极3。可见，薄膜晶体管本身的性能对像素电极1的电压(也就是显示效果)有重要影响。为此，阵列基板出厂前需对其中薄膜晶体管进行性能测试。现有测试方法是用测试探针5(Pin)接触像素电极1，并向数据线81和栅极线82通入测试信号，以用测试探针5测试在不同栅极电压下薄膜晶体管中的电流。

图2所示，在以上的阵列基板中，像素电极1上方有绝缘层2(除了狭缝39处还有公共电极3)，故测试探针5无法与像素电极1接触，测试不能进行。为此，需要在显示区(即阵列基板中部用于进行显示的区域)外的边缘区中增设测试薄膜晶体管，测试薄膜晶体管与显示区中的薄膜晶体管同步制造，但不连接像素电极1等其他结构，而专门用于进行测试。

发明人发现现有技术中至少具有以下问题：

阵列基板的边缘区和显示区的结构不同(如边缘区中没有各电极)，且在阵列基板制备时，许多步骤中都会对显示区进行保护，而边缘区则没有相应的保护措施。总之，测试薄膜晶体管和显示区中的薄膜晶体管所经历的工艺环境不同，这种不同会对薄膜晶体管的性能产生影响。因此，测试薄膜晶体管的性能不一定与显示区中的薄膜晶体管相同，故不能根据其性能判断显示区中的薄膜晶体管的性能。例如，如图3所示的性能测试图中，测试薄膜晶体管的曲线与标准曲线不符，表示其性能不合格，但我们不能确定显示区中的薄膜晶体管的性能是否也和测试薄膜晶体管一样不合格，故该测试结果只能作为参考，而不准确。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的ADS模式的阵列基板无法对显示区中的薄膜晶体管性能进行准确测试的问题，提供一种可对薄膜晶体管性能进行准确测试的阵列基板、显示面板及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括多个像素单元，每个像素单元包括：像素电极、位于所述像素电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的公共电极，且

至少有一个所述像素单元为测试像素单元，所述测试像素单元的绝缘层中设有位于像素电极上方且与公共电极隔开的开口。

优选的是，所述公共电极中设有公共开口，所述公共开口与所述绝缘层中的开口重合或超出所述绝缘层中的开口。

优选的是，所述阵列基板还包括：位于绝缘层上并与所述公共电极隔开的导电的探针接触结构，所述探针接触结构通过所述绝缘层中的开口与像素电极连接。

进一步优选的是，所述探针接触结构与所述公共电极同步形成。

进一步优选的是，所述像素单元包括用于进行显示的出光区以及位于所述出光区周边的遮光区；所述探针接触结构位于所述遮光区中。

优选的是，所述像素单元包括用于进行显示的出光区以及位于所述出光区周边的遮光区；所述绝缘层中的开口位于所述遮光区中。

优选的是，所述测试像素单元的数量为多个；多个所述测试像素单元在阵列基板上均匀分布。

进一步优选的是，所述测试像素单元的数量为2至20个。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，其包括：

上述的阵列基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括：

上述的显示面板。

本发明的阵列基板中，绝缘层中设有位于像素电极上方的开口，且该开口与公共电极隔开，由此，该开口所在位置的像素电极上方即无绝缘层也无公共电极，故可用测试探针通过该开口将像素电极的信号引出，从而对薄膜晶体管进行测试，这样即可准确测试显示区中的薄膜晶体管的性能。

附图说明

图1为现有一种阵列基板的一个像素单元的透视俯视结构示意图；

图2为图1沿AA线的剖面结构示意图；

图3为薄膜晶体管的性能的测试结果；

图4为本发明的实施例的一种阵列基板中测试像素单元的分布位置示意图；