[发明专利]波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法

权利要求书

1.波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法，其特征在于具体是按照以下步骤进行的：

一、将聚碳硅烷、二乙烯苯和四氢呋喃混合均匀，得到浸渍液；其中，二乙烯苯与聚碳硅烷的质量比为(0.3～0.5)∶1，四氢呋喃与聚碳硅烷的质量比为(1～3)∶1；

二、将碳纤维布放入步骤一得到的浸渍液中，在压强小于0.1MPa的真空条件下，浸渍1h，再将浸渍后的碳纤维布裁剪成上下面板层和芯子面板层，然后将上下面板叠层铺设3～5层、芯子面板叠层铺设5～7层，放入烘箱中，控制温度为80℃～100℃，烘干2h～3h，由上下面板层得到上面板(A)和下面板(B)，由芯子面板层得到芯子面板(C)；

三、将步骤二得到的上面板(A)、下面板(B)和芯子面板(C)装入到波纹板制备模具中；

四、将步骤三的模具放入真空罐中，施加0.1MPa的压力，控制升温速率为10℃/min，升温至温度为110℃～160℃，固化2h～8h，得到初期成型体；

五、将步骤四得到的初期成型体放入高温烧结炉中，抽真空至真空度小于0.1Pa，再通入氮气至真空度为0.025MPa，然后控制升温速率为10℃/min～20℃/min，升温至温度为1100℃～1300℃，保持30min，得到波纹构型SiC复合材料初产品；

六、将步骤五得到的波纹构型SiC复合材料初产品放入步骤一得到的浸渍液中，在压强小于0.1MPa的真空条件下，浸渍1h，再在温度为120℃条件下，固化3h，升温至温度为150℃条件下，固化3h，然后放入高温烧结炉中，抽真空至真空度小于0.1Pa，再通入氮气至真空度为0.025MPa，以10℃/min～20℃/min的升温速率，升温至温度为1100℃～1300℃，保持10min～60min，得到波纹构型SiC复合材料中间体；

七、重复步骤六的处理过程，至波纹构型SiC复合材料中间体的重量较当次处理前的增重小于1％，即得到了波纹构型陶瓷基复合材料平板。

2.根据权利要求1所述的波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法，其特征在于步骤一中二乙烯苯与聚碳硅烷的质量比为0.4∶1，四氢呋喃与聚碳硅烷的质量比为2∶1。

3.根据权利要求1所述的波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法，其特征在于步骤一中采用恒温磁力搅拌器混合均匀。

4.根据权利要求1所述的波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法，其特征在于步骤二中上面板(A)和下面板(B)的尺寸均为130mm×80mm、芯子面板(C)的尺寸为180mm×80mm。

5.根据权利要求1所述的波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法，其特征在于步骤二中控制温度为90℃，烘干2.5h。

6.根据权利要求1所述的波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法，其特征在于步骤五中控制升温速率为15℃/min，升温至温度为1200℃。

7.根据权利要求1所述的波纹构型陶瓷基复合材料平板的制备方法，其特征在于步骤六中以15℃/min的升温速率，升温至温度为1200℃，保持30min。