[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；

形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构；

形成覆盖所述鳍部的侧壁和顶部表面以及栅极结构侧壁和顶部表面的刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上形成掩膜层，所述掩膜层中具有第一开口，所述第一开口暴露出栅极结构两侧的鳍部表面的刻蚀停止层；

沿第一开口刻蚀所述刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层中形成暴露出鳍部顶部表面的第二开口，所述第二开口底部暴露的鳍部中残留有刻蚀过程中进入的杂质元素；

对第二开口底部暴露的鳍部进行第一去杂质元素处理，去除第二开口暴露的鳍部中残留的杂质元素；

沿第二开口回刻蚀去除部分鳍部，在鳍部中形成凹槽；

形成填充满凹槽中的应力源/漏区。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀停止层采用等离子体刻蚀工艺。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀采用的刻蚀气体为CH₃F、O₂和Ar。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述等离子刻蚀采用脉冲式等离子刻蚀，CH₃F的流量为10～200sccm，O₂的流量10～500sccm，Ar的流量为10～200sccm，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，射频功率源以脉冲的方式输出射频功率，偏置功率源和射频功率源的频率为10Hz～50KHz，占空比为10％～80％。

5.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述杂质元素为碳元素和氟元素。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一去杂质元素处理为等离子体处理。

7.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理采用的气体为H₂和N₂，H₂流量为10～200sccm，N₂流量为50～1000sccm，处理温度为0～100℃，源功率为100～1000W，偏置功率为0～300W，时间为10～600S。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述鳍部采用等离子刻蚀工艺，等离子刻蚀工艺采用的刻蚀气体为HBr、O₂和NF₃。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在回刻蚀去除部分鳍部，在鳍部中形成凹槽后，还包括，对凹槽暴露的鳍部进行第二去杂质处理。

10.如权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二去杂质元素处理为等离子体处理。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理采用的气体为H₂和N₂，H₂流量为10～200sccm，N₂流量为50～1000sccm，处理温度为0～100℃，源功率为100～1000W，偏置功率为0～300W，时间为10～600S。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

13.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成栅极结构后，在所述栅极结构的两侧侧壁表面形成第一侧墙，在所述鳍部的两侧侧壁表面形成第二侧墙。