[发明专利]一种麦克风结构的形成方法

权利要求书

1.一种麦克风结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面；

在所述衬底的第一表面形成电容结构；

在所述衬底的第二表面形成背腔，所述背腔的底部暴露出所述电容结构，所述背腔包括位于所述电容结构表面的第一开口、以及位于所述第一开口顶部的第二开口，所述第二开口底部暴露出所述第一开口，所述第一开口的侧壁垂直于所述衬底的第二表面，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸；

当所述第二开口的侧壁垂直于所述衬底的第二表面，所述背腔的侧壁呈阶梯状，所述背腔的形成工艺包括：在衬底的第二表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出部分衬底的第二表面，且所述第三掩膜层暴露出与第一开口顶部的位置和形状一致的区域；在所述第三掩膜层表面形成第四掩膜层，所述第四掩膜层暴露出部分第三掩膜层的表面和衬底第二表面，且所述第四掩膜层暴露出与第二开口顶部的位置和形状一致的区域，所述第四掩膜层的厚度大于第三掩膜层的厚度；以所述第四掩膜层和第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，直至所述第四掩膜层暴露出的部分第三掩膜层被去除为止，暴露出部分衬底的第二表面，在衬底内形成第三开口；以所述第四掩膜层为掩膜，刻蚀所暴露出的部分衬底以及第三开口底部，直至暴露出电容结构的表面为止，由第三开口底部刻蚀形成第一开口，由暴露出的部分衬底刻蚀形成第二开口；

当所述第二开口的侧壁相对于衬底的第二表面倾斜，所述第二开口的侧壁与第一开口的侧壁相连接，且所述第二开口的顶部尺寸大于底部尺寸，所述背腔的形成工艺包括：在衬底的第二表面形成第五掩膜层，所述第五掩膜层暴露出部分衬底的第二表面，且所述第五掩膜层暴露出与第二开口顶部的位置和形成一致的区域；以所述第五掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第二开口，所述第二开口的侧壁相对于衬底的第二表面倾斜，且所述第二开口的顶部尺寸大于底部尺寸；以所述第五掩膜层为掩膜，采用第二刻蚀工艺刻蚀所述第二开口的底部，直至暴露出电容结构为止，在第二开口的底部形成第一开口。

2.如权利要求1所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层为光刻胶负胶；所述第四掩膜层为光刻胶正胶。

3.如权利要求1所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，形成第三开口的工艺为深反应离子刻蚀工艺；刻蚀所暴露出的部分衬底以及第三开口底部的工艺为深反应离子刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为各向异性的湿法刻蚀工艺；所述第二刻蚀工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的第二表面的晶向为<100>。

6.如权利要求1所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，所述电容结构包括：位于衬底第一表面的第一牺牲层；位于所述第一牺牲层表面的振膜；位于所述振膜和第一牺牲层表面的第二牺牲层；位于所述第二牺牲层表面的背板，所述背板内具有若干暴露出第二牺牲层的开口。

7.如权利要求6所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述背腔之后，所述第一开口底部暴露出部分第一牺牲层表面，去除所述第一开口底部的部分第一牺牲层和第二牺牲层，在所述第一开口底部暴露出所述振膜，且在振膜和背板之间形成空腔。

8.如权利要求7所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层的工艺为湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求6所述的麦克风结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料为氧化硅。