[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

处理空间，对载置在衬底载置面上的衬底进行处理；

处理空间气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给处理气体或非活性气体；

排气缓冲室，至少具有连通孔及气流阻挡壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与所述处理空间连通，所述气流阻挡壁在阻挡从所述连通孔通过的气体的流动的方向延伸；

气体排气系统，对流入到所述排气缓冲室内的气体进行排气；

排气缓冲室清洁气体供给系统，具有清洁气体供给管，从设置在所述连通孔和所述气流阻挡壁之间的连接位置向所述排气缓冲室内供给清洁气体；和

控制器，以下述方式控制所述处理空间气体供给系统和所述排气缓冲室清洁气体供给系统：在从所述清洁气体供给管向所述排气缓冲室供给清洁气体期间，以所述清洁气体不侵入所述处理空间的方式从所述处理空间气体供给系统向所述处理空间供给所述非活性气体。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述排气缓冲室具有以包围所述处理空间的侧方外周的方式设置的空间，且以使被供给到所述处理空间内的气体流入所述空间内的方式构成。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述清洁气体供给管通过沿包围所述处理空间的周向连续的气体供给槽，与所述排气缓冲室连接。

4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述气体供给系统包括向所述处理空间内供给非活性气体的非活性气体供给系统，

所述非活性气体供给系统是在清洁气体从所述清洁气体供给管向所述排气缓冲室内的供给开始之前，或者最迟与所述清洁气体的供给开始同时地，开始非活性气体向所述处理空间内的供给。

5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述气体供给系统包括向所述处理空间内供给清洁气体的处理空间清洁气体供给系统，

所述衬底处理装置具有控制器，所述控制器对第一清洁处理及第二清洁处理的实施进行控制，所述第一清洁处理从所述清洁气体供给管向所述排气缓冲室内供给清洁气体，所述第二清洁处理从所述处理空间清洁气体供给系统向所述处理空间内供给清洁气体，

所述控制器以使所述第一清洁处理的实施频率比所述第二清洁处理的实施频率高的方式进行控制。

6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述第一清洁处理中供给的清洁气体的活性度比所述第二清洁处理中供给的清洁气体的活性度低。

7.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，

在所述衬底载置面中，埋入作为加热源的加热器，

所述加热器通过所述控制器被控制打开/关闭，

所述控制器在所述第二清洁处理时以使所述加热器打开的方式进行控制。

8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述清洁气体供给管通过沿包围所述处理空间的周向连续的气体供给槽，与所述排气缓冲室连接。

9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述气体供给系统包括向所述处理空间内供给非活性气体的非活性气体供给系统，

所述非活性气体供给系统是在清洁气体从所述清洁气体供给管向所述排气缓冲室内的供给开始之前，或者最迟与所述清洁气体的供给开始同时地，开始非活性气体向所述处理空间内的供给。

10.如权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述气体供给系统包括向所述处理空间内供给清洁气体的处理空间清洁气体供给系统，

所述衬底处理装置具有控制器，所述控制器对第一清洁处理及第二清洁处理的实施进行控制，所述第一清洁处理从所述清洁气体供给管向所述排气缓冲室内供给清洁气体，所述第二清洁处理从所述处理空间清洁气体供给系统向所述处理空间内供给清洁气体，

所述控制器以使所述第一清洁处理的实施频率比所述第二清洁处理的实施频率高的方式进行控制。

11.如权利要求10所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述第一清洁处理中供给的清洁气体的活性度比所述第二清洁处理中供给的清洁气体的活性度低。