[发明专利]一种利用前端模块为晶圆加热的装置及方法在审
申请号: | 201410432333.1 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN104269368A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;姜崴;陈英男 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 前端 模块 加热 装置 方法 | ||
1.一种利用前端模块为晶圆加热的装置,其特征在于:该装置采用在设备前端模块内部或设备前端模块的装载港位置上挂载预热腔室,可根据不同工艺流程要求挂载单片预热腔室或多片热腔室或带有不同升降结构或具有加热功能的预热腔室,加热方式采用两层金属基板内部夹装硅胶加热片的结构。
2.如权利要求1所述的一种利用前端模块为晶圆加热的装置,其特征在于:所述的多片预热腔由加热管、预热腔室盖板B、预热腔室B及晶圆支架组成,其中预热腔室盖板B及预热腔室B形成一个独立的腔室空间,预热腔室B中设有中空的隔热层,在预热腔室B内均布安装有加热管或加热灯加热器件,在预热腔室B内安装有晶圆支架,在加热时用来承载晶圆。
3.如权利要求2所述的一种利用前端模块为晶圆加热的装置,其特征在于:上述中空的隔热层采用空气隔热或可填充保温棉用以隔绝腔室内外的热传导。
4.如权利要求1所述的一种利用前端模块为晶圆加热的装置,其特征在于:多片预热腔由加热板、晶圆支架A、预热腔室A、传片口、预热腔盖板A、升降机构、加热片、上压板、底板组成,预热腔室A及预热腔室盖板A形成一个独立的腔室空间,在预热腔室A内均布安装有加热板加热器件,预热腔室A的后方设有升降机构,升降机构上方安装晶圆支架A,用以托起晶圆,实现取送片操作。
5.如权利要求4所述的一种利用前端模块为晶圆加热的装置,其特征 在于:所述加热板由加热片、上压板及底板组成,底板作为加热片支撑的载体,上面安置硅胶加热片作为加热的热源,上述硅胶加热片的上面设有上压板将其夹紧,上压板上设有凸台结构作为晶圆的支撑。
6.如权利要求4所述的一种利用前端模块为晶圆加热的装置,其特征在于:所述的加热片可采用Kapton、Teflon轻薄硅胶材质。
7.一种采用如权利要求1所述利用前端模块为晶圆加热装置的方法,其特征在于:在工艺过程中,晶圆由设备前端模块的机械手从晶圆盒中取出,并放入预热腔室进行预热或加热,当温度达到要求后,由机械手将其送入传片腔,并由传片腔的机械手将其送入反应腔进行沉积反应,也可根据工艺要求在晶圆进行沉积反应后传入预热腔进行保温操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造