[发明专利]一种湿法腐蚀装置及其使用方法

权利要求书

1.一种湿法腐蚀装置，适于对晶圆进行单面腐蚀，所述晶圆具有待腐蚀的背面和需要保护的正面，其特征在于，所述湿法腐蚀装置包括：基座、衬垫和真空发生装置；

所述基座内沿轴向设有第一气流通道，所述第一气流通道连通所述基座的上表面；所述第一气流通道与所述真空发生装置相连接；

所述衬垫位于所述基座的上表面，所述衬垫内设有凹槽，所述凹槽底部的直径大于或等于所述晶圆的直径；所述凹槽底部设有通孔区域，所述通孔区域的直径小于所述晶圆的直径；所述通孔区域内设有与所述第一气流通道相连通的通孔，所述通孔与所述第一气流通道上下对应；所述晶圆正面的边缘区域为弧形区域，所述凹槽底部的直径等于所述晶圆的直径，且所述凹槽底部的边缘区域为弧形坡面，所述弧形坡面与所述弧形区域相吻合，以使得所述晶圆位于所述凹槽底部时，所述晶圆的边缘与所述凹槽底部的边缘完全贴合在一起。

2.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述基座包括第一子基座和第二子基座，所述第一气流通道位于所述第一子基座内；所述第一子基座内还设有与所述第一气流通道相连通的空腔结构；所述第二子基座内沿轴向设有第二气流通道，所述第二气流通道一端与所述空腔结构相连通，另一端与所述真空发生装置相连接。

3.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述第一气流通道均匀地分布于所述基座内，所述通孔均匀地分布于所述凹槽的底部。

4.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：位于所述基座中间区域和边缘区域的相邻两所述第一气流通道的间距小于位于所述基座其他区域内的相邻两所述第一气流通道的间距；位于所述衬垫中间区域和边缘区域的相邻两所述通孔的间距小于位于所述衬垫其他区域内的相邻两所述通孔的间距。

5.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述基座的材质为四氟乙烯、聚丙烯或特氟龙。

6.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述衬垫的材质为硅胶或氟橡胶。

7.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述衬垫与所述第一子基座形状一致，大小相同。

8.根据权利要求7所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述衬垫横截面的形状为圆形，所述第一子基座横截面的形状为圆形、所述凹槽底部横截面的形状为圆形。

9.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述凹槽的深度大于或等于所述晶圆的厚度。

10.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于：所述基座与所述真空发生装置之间还设有过滤阀，适于防止腐蚀液进入所述真空发生装置。

11.一种如权利要求1至10中任一项所述的湿法腐蚀装置的使用方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)将一晶圆的待腐蚀的背面朝上置于所述湿法腐蚀装置中的衬垫的凹槽内，且使所述晶圆的边缘与所述凹槽的边缘相对齐；打开所述真空发生装置，将所述晶圆吸附在所述凹槽的底部；

2)将所述吸附有晶圆的衬垫和所述基座放入腐蚀溶液中，对所述晶圆待腐蚀的背面进行腐蚀；

3)腐蚀完毕后，将所述吸附有晶圆的衬垫和所述基座从腐蚀溶液中取出，使用去离子水冲洗所述晶圆、衬垫和基座；关闭所述真空发生装置，将晶圆从所述衬垫上取下来。

12.根据权利要求11所述的湿法腐蚀装置的使用方法，其特征在于：步骤2)中所使用的腐蚀溶液为KOH溶液或TMAH溶液。