[发明专利]抛光浆料以及使用所述抛光浆料的衬底抛光方法

权利要求书

1.一种用于钨的抛光浆料，包括：

磨料，用于进行抛光且具有正的动电位；以及

电位调节剂，用于控制所述磨料的所述动电位，

所述电位调节剂包括选自由以下各者组成的群组中的至少一者：草酸铁钾、乙二胺四乙酸铁钠、铁氰化钾以及乙酰丙酮铁(III)，

其中以所述抛光浆料的总量计，所述电位调节剂所占的量是0.001重量％到1重量％，且所述磨料的所述动电位通过所述电位调节剂控制在+5毫伏到-5毫伏之内。

2.根据权利要求1所述的用于钨的抛光浆料，其中所述磨料包括二氧化锆颗粒。

3.根据权利要求2所述的用于钨的抛光浆料，其中以所述抛光浆料的总量计，所述磨料所占的量是大于0.2重量％到小于或等于10重量％。

4.根据权利要求2所述的用于钨的抛光浆料，其中所述电位调节剂通过产生阴离子来控制所述磨料的所述动电位。

5.根据权利要求4所述的用于钨的抛光浆料，其中根据所述电位调节剂的浓度来控制所述钨对绝缘层的抛光选择性。

6.根据权利要求5所述的用于钨的抛光浆料，其中所述磨料的所述动电位是5毫伏到3.5毫伏，且所述钨对所述绝缘层的所述抛光选择性是1:1到1:8。

7.根据权利要求5所述的用于钨的抛光浆料，其中所述磨料的所述动电位是通过所述电位调节剂控制在-2毫伏到2毫伏，且所述钨对所述绝缘层的所述抛光选择性大于或等于6:1。

8.根据权利要求5所述的用于钨的抛光浆料，其中所述磨料的所述动电位是通过所述电位调节剂控制在2毫伏到3.5毫伏或小于或等于-2毫伏，且所述钨对所述绝缘层的所述抛光选择性是1:1到2:1。

9.根据权利要求1所述的用于钨的抛光浆料，还包括分散剂，用于使所述磨料分散且用于将所述磨料的所述动电位控制到比所述电位调节剂控制的所述动电位小的量。

10.根据权利要求9所述的用于钨的抛光浆料，其中所述分散剂包括阴离子聚合材料、阳离子聚合材料或非离子聚合材料。

11.根据权利要求10所述的用于钨的抛光浆料，其中

所述阴离子聚合材料包括选自由以下各者组成的群组中的至少一者：聚丙烯酸、多羧酸、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠和聚苯乙烯磺酸钠，

所述阳离子聚合材料包括选自由以下各者组成的群组中的至少一者：聚赖氨酸、聚乙烯亚胺、氯化本索宁、5-溴-5-硝基-1,3-二恶烷、西曲溴铵、西曲氯铵、双十八烷基二甲基氯化铵、四甲基氢氧化铵、二硬脂基二甲基氯化铵、聚羟丙基二甲基氯化铵、1,2-二油酰基-3-三甲胺丙烷和聚丙烯胺，且

所述非离子聚合材料包括选自由以下各者组成的群组中的至少一者：聚乙烯吡咯烷酮、聚环氧乙烷、聚乙烯醇、羟乙基纤维素、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、β-环糊精、果糖、葡萄糖和半乳糖。

12.根据权利要求10所述的用于钨的抛光浆料，其中以所述抛光浆料的总量计，所述分散剂所占的量是大于0.001重量％到小于或等于1重量％。

13.根据权利要求9所述的用于钨的抛光浆料，还包括用于使所述钨的表面氧化的氧化剂。

14.根据权利要求13所述的用于钨的抛光浆料，其中所述氧化剂包括选自由以下各者组成的群组中的至少一者：过氧化氢、过氧化脲、过硫酸铵、硫代硫酸铵、次氯酸钠、过碘酸钠、过硫酸钠、碘酸钾、过氯酸钾和过硫酸钾。

15.根据权利要求13所述的用于钨的抛光浆料，其中以所述抛光浆料的总量计，所述氧化剂所占的量是0.5重量％到5重量％。

16.根据权利要求1所述的用于钨的抛光浆料，还包括用于控制所述抛光浆料的pH值的pH控制剂。

17.根据权利要求16所述的用于钨的抛光浆料，其中所述抛光浆料的pH值小于或等于4。