[发明专利]碳化硅半导体装置

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的漂移层；

保护环区域，其在所述漂移层中从所述漂移层的一侧的表面形成，呈环状，并包含有第2导电型的杂质；

场绝缘膜，其在所述一侧的表面上，以将所述保护环区域包围的方式形成；

肖特基电极，其以在所述保护环区域的内侧将在所述一侧的表面露出的所述漂移层和所述保护环区域覆盖的方式形成，该肖特基电极的外周端存在于所述场绝缘膜上；以及

表面电极焊盘，其形成在所述肖特基电极上，

所述表面电极焊盘的外周端越过所述肖特基电极的外周端而与所述场绝缘膜接触，所述表面电极焊盘将所述肖特基电极的外周端处的前端尖锐的蚀刻残渣覆盖，

在所述保护环区域之中形成有第2导电型的高浓度区域，该第2导电型的高浓度区域从所述保护环区域的一侧的表面形成，且具有比所述保护环区域更高的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述表面电极焊盘的外周端存在于所述保护环区域的上方。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述场绝缘膜的开口部形成为锥形状。