[发明专利]氮化物系晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系晶体管的制造方法，包括如下步骤：

(a)在生长基板上依次形成掺杂为第一型的氮化物系第一半导体层、掺杂为第二型的氮化物系第二半导体层以及掺杂为第一型的氮化物系第三半导体层；

(b)形成从所述第三半导体层延伸至所述第一半导体层的内部的第一沟槽；

(c)形成填充所述第一沟槽的掺杂为第一型的氮化物系第四半导体层；

(d)在所述第四半导体层的内部形成第二沟槽；

(e)在所述第二沟槽内部形成栅电极；

(f)形成与所述第三半导体层和所述第四半导体层中的至少一个电连接的源电极；

(g)形成与所述第一半导体层电连接的漏电极。

2.一种垂直型氮化物系晶体管的制造方法，包括如下步骤：

(a)在生长基板上依次形成掺杂为高浓度的第一型的下部氮化物系半导体层、掺杂为低浓度的第一型的氮化物系第一半导体层、掺杂为第二型的氮化物系第二半导体层以及掺杂为第一型的氮化物系第三半导体层；

(b)形成从所述第三半导体层延伸至所述第一半导体层内部的第一沟槽；

(c)形成填充所述第一沟槽并层叠于所述第三半导体层上的掺杂为第一型的氮化物系第四半导体层；

(d)在所述第四半导体层上形成掺杂为高浓度的第一型的上部氮化物系半导体层；

(e)至少将所述上部氮化物系半导体层和所述第四半导体层选择性地蚀刻，从而形成第二沟槽；

(f)在所述第二沟槽内部形成栅电极；

(g)形成与所述上部氮化物系半导体层形成欧姆接触，并与所述上部氮化物系半导体层接触的源电极；

(h)形成与所述下部氮化物系半导体层形成欧姆接触，并与所述下部氮化物系半导体层接触的漏电极。

3.一种垂直型氮化物系晶体管的制造方法，包括如下步骤：

(a)在生长基板上依次形成掺杂为高浓度的第一型的下部氮化物系半导体层、掺杂为第一型的氮化物系第一半导体层、掺杂为第二型的氮化物系第二半导体层以及掺杂为高浓度的第一型的上部氮化物系半导体层；

(b)形成从所述上部氮化物系半导体层延伸至所述第一半导体层内部的第一沟槽；

(c)形成填充所述第一沟槽的掺杂为第一型的氮化物系第三半导体层；

(d)选择性地蚀刻所述第三半导体层，从而在所述第一沟槽内形成第二沟槽；

(e)在所述第二沟槽的内部形成栅电极；

(f)形成与所述上部氮化物系半导体层形成欧姆接触，并与所述上部氮化物系半导体层接触的源电极；

(g)形成与所述下部氮化物系半导体层形成欧姆接触，并与所述下部氮化物系半导体层接触的漏电极。

4.一种氮化物系晶体管，包括：

掺杂为第一型的氮化物系第一半导体区域；

布置于所述第一半导体区域的内部，并掺杂为第二型的一对氮化物系第二半导体图案；

布置于所述第一半导体区域上的掺杂为高浓度的第一型的氮化物系第三半导体区域；

布置于垂直贯通所述一对第二半导体图案之间的所述第一半导体区域的沟槽的底面和侧壁上的栅极介电层；

布置于由所述栅极介电层包围的所述沟槽内的栅电极；

与所述第三半导体区域电连接的源电极；

与所述第一半导体区域电连接的漏电极。

5.一种垂直型氮化物系晶体管的制造方法，包括如下步骤：

(a)在生长基板上依次形成掺杂为第一型的氮化物系第一半导体层、绝缘性电流阻断层、掺杂为第二型的氮化物系第二半导体层以及掺杂为第一型的氮化物系第三半导体层；

(b)形成从所述第三半导体层延伸至所述第一半导体层内部的第一沟槽；

(c)形成填充所述第一沟槽的掺杂为第一型的氮化物系第四半导体层；

(d)在所述第四半导体层的内部形成第二沟槽；

(e)在所述第二沟槽内部形成栅电极；

(f)形成与所述第三半导体层和所述第四半导体层中的至少一个电连接的源电极；

(g)形成与所述第一半导体层电连接的漏电极。