[发明专利]密封的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

载体；

半导体芯片，安放在所述载体之上，其中所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且其中所述第二表面面对所述载体；

预密封剂，至少部分地覆盖所述半导体芯片的所述第二表面并且至少部分地覆盖所述半导体芯片的侧壁表面，其中所述预密封剂包括等于或大于10W/（m·K）的热导率以及等于或大于0.2J/（g·K）的比热容。

2.权利要求1的所述半导体器件，其中所述预密封剂具有在所述第二表面之上的等于或大于20μm的厚度。

3.权利要求1的所述半导体器件，其中所述预密封剂具有在所述侧壁表面之上的等于或大于20μm的厚度。

4.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一表面是所述半导体芯片的有源表面并且所述第二表面是所述半导体芯片的非有源表面。

5.权利要求1的所述半导体器件，其中所述预密封剂包括一层陶瓷或金属层或包括一层陶瓷和金属层的多层结构。

6.权利要求1的所述半导体器件，进一步包括：电绝缘密封材料，至少部分地覆盖所述半导体芯片的所述第一表面以及在所述半导体芯片的所述侧壁表面处的所述预密封剂。

7.权利要求1的所述半导体器件，其中所述预密封剂包括等于或大于40W/（m·K）的热导率。

8.权利要求1的所述半导体器件，其中所述预密封剂包括等于或大于0.4J/（g·K）的比热容。

9.权利要求1的所述半导体器件，其中所述半导体芯片的所述第二表面没有任何芯片电极。

10.权利要求1的所述半导体器件，其中所述半导体芯片是基于GaN、SiGe、GaAs、AlGaN、InGaAs、InAlAs、SiC或Si的功率芯片。

11.权利要求1的所述半导体器件，其中所述预密封剂完全地覆盖所述半导体芯片的所述第二表面。

12.权利要求1的所述半导体器件，其中所述预密封剂占主导地覆盖所述半导体芯片的所述侧壁表面。

13.一种半导体器件，包括：

载体；

半导体芯片，安放在所述载体之上，其中所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且其中所述第二表面面对所述载体；

预密封剂，至少部分地覆盖所述半导体芯片的所述第二表面并且至少部分地覆盖所述半导体芯片的侧壁表面，其中所述预密封剂包括一层陶瓷或金属层或包括一层陶瓷和金属层的多层结构。

14.权利要求13的所述半导体器件，进一步包括：键合层，布置在所述预密封剂和所述载体之间并且配置成将所述预密封的半导体芯片机械地固定到所述载体。

15.权利要求14的所述半导体器件，其中所述键合层包括焊料材料或烧结材料或粘合剂。

16.一种制造半导体器件的方法，包括：

将预密封剂至少部分地淀积在半导体芯片的第二表面之上并且至少部分地淀积在所述半导体芯片的侧壁表面之上，其中所述预密封剂包括等于或大于10W/（m·K）的热导率以及等于或大于0.2J/（g·K）的比热容；以及

将所述预密封的半导体芯片键合在载体上，其中在所述第二表面之上的所述预密封剂被布置在所述半导体芯片和所述载体之间。

17.权利要求16的所述方法，其中所述预密封剂通过CVD工艺、PVD工艺、等离子束工艺、流电淀积或无电淀积、溶胶凝胶工艺、或溅射而被淀积。

18.权利要求16的所述方法，进一步包括：在所述预密封剂和所述载体之间施加键合层以将所述预密封剂机械地固定到所述载体。

19.权利要求16的所述方法，进一步包括：

将所述半导体芯片放置在临时载体上，其中所述第二表面背对所述临时载体；

在所述半导体芯片的所述第二表面之上以及在没有被所述半导体芯片覆盖的所述临时载体的部分之上淀积所述预密封剂；并且

结构化所述预密封剂以定义所述预密封剂的外围侧壁。

20.权利要求16的所述方法，其中淀积所述预密封剂包括：淀积一层陶瓷或金属层。