[发明专利]一种机械半导体研磨组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种机械半导体研磨组合物。

背景技术

在半导体制造中，化学机械研磨 (CMP) 技术可以实现整个晶圆的平坦化，成为芯片制造工艺中重要的步骤之一。在化学机械研磨中，化学机械研磨剂 (Slurry) 是化学机械研磨技术的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。设计化学机械研磨剂时，希望能达到去除速率高、平面度好、膜厚均匀、无残留、缺陷少等效果。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种机械半导体研磨组合物。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种机械半导体研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质：氧化锆12-16份，二氧化硅4-13份，乙烯基双硬脂酰胺5-10份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛7-13份，硅藻土1份，硼酸钠2-4份，滑石粉4-6份，硬脂酸锌4-6份，抗氧剂2-4份，防老剂1份，氯化钙2-5份。

本发明的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料，可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力，使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合，从而减少琉水性薄膜表面上的残留物和颗粒等缺陷，改善化学机械研磨的效果。

具体实施方式

实施例1

一种机械半导体研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质：氧化锆12-16份，二氧化硅4-13份，乙烯基双硬脂酰胺5-10份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛7-13份，硅藻土1份，硼酸钠2-4份，滑石粉4-6份，硬脂酸锌4-6份，抗氧剂2-4份，防老剂1份，氯化钙2-5份。