[发明专利]发光二极管芯片封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410434139.7 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105448903B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张忠民;张简千琳;吴雅婷 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 彭辉剑 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
固晶：提供一基板和若干LED芯片，将所述LED芯片固定于该基板一侧；
打线：提供若干导线，利用该导线将所述LED芯片电性连接于该基板；
一次点胶：提供第一胶体，利用点胶方式将该第一胶体注于所述基板设有LED芯片的一侧；
烘烤：烘烤所述胶体至半干，形成第一封装层，且将所述第一封装层的上表面形成为水平面作为支撑面；
二次点胶：提供第二胶体，在所述第一封装层上注入该第二胶体,第二胶体的流动性小于第一胶体的流动性；
固化：烘烤所述胶体，使得二次点胶中的胶体形成第二封装层，同时使第一封装层和第二封装层完全固化，固化后，所述第一封装层的截面面积大于所述第二封装层的截面面积。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一胶体的粘滞系数介于5000-6000mpas。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述第二胶体的粘滞系数为3400mpas。
4.如权利要求1所述的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于：在一次点胶过程中，所述第一胶体通过自身的流动完全覆盖所述LED芯片和所述导线。
5.如权利要求1所述的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于：在烘烤过程中，烘烤所述胶体至半干的标准是在二次点胶过程中，第二胶体不会使所述支撑面塌陷。
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