[发明专利]无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器有效
| 申请号： | 201410435033.9 | 申请日： | 2014-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104158085B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王云才;张明江;王安帮;张建忠;刘慧;赵彤 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/068 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无时 频谱 平坦 宽带 光子 集成 混沌 半导体激光器 | ||
1.一种无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器，其特征在于：包括芯片衬底（1）、光波导（2）、掺铒的无源光波导（3）、左分布式反馈半导体激光芯片（4）、无隔离双向放大的半导体光放大芯片（5）、右分布式反馈半导体激光芯片（6）、高速光电探测芯片（7）；
其中，左分布式反馈半导体激光芯片（4）、无隔离双向放大的半导体光放大芯片（5）、高速光电探测芯片（7）均固定于芯片衬底（1）的上表面左部；
右分布式反馈半导体激光芯片（6）固定于芯片衬底（1）的上表面右部；
左分布式反馈半导体激光芯片（4）的右端通过光波导（2）与无隔离双向放大的半导体光放大芯片（5）的左端连接；
无隔离双向放大的半导体光放大芯片（5）的右端通过掺铒的无源光波导（3）与右分布式反馈半导体激光芯片（6）的左端连接；
左分布式反馈半导体激光芯片（4）的左端分为两路，一路通过光波导（2）与高速光电探测芯片（7）的输入端连接，另一路通过光波导（2）直接输出。
2.根据权利要求1所述的无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器，其特征在于：左分布式反馈半导体激光芯片（4）与右分布式反馈半导体激光芯片（6）之间存在参数失配，二者输出光波长的频率差为10GHz-15GHz，输出功率偏差低于70%。
3.根据权利要求1或2所述的无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器，其特征在于：芯片衬底（1）为Si基SiO2衬底；光波导（2）、掺铒的无源光波导（3）均为Si基SiO2光波导。
4.根据权利要求1或2所述的无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器，其特征在于：左分布式反馈半导体激光芯片（4）、无隔离双向放大的半导体光放大芯片（5）、高速光电探测芯片（7）均采用倒装贴片工艺固定于芯片衬底（1）的上表面左部；右分布式反馈半导体激光芯片（6）采用倒装贴片工艺固定于芯片衬底（1）的上表面右部。
5.根据权利要求1或2所述的无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器，其特征在于：掺铒的无源光波导（3）的长度为10毫米；左分布式反馈半导体激光芯片（4）的长度、右分布式反馈半导体激光芯片（6）的长度均为500微米；无隔离双向放大的半导体光放大芯片（5）的长度为200微米，且无隔离双向放大的半导体光放大芯片（5）采用InGaAs/InGaAsP的双异质结多量子阱结构。
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