[发明专利]热交换晶体生长系统、冷却气体流量控制方法及装置

说明书

本发明提供了一种冷却气体流量控制方法，所述的冷却气体流量控制方法用于热交换晶体生长系统的冷却气体流量控制，所述的方法包括以下步骤：11)获取冷却气体热交换后的温度以及冷却气体当前流量；12)根据冷却气体热交换后的温度和预设传热速率计算冷却气体目标流量；13)调节冷却气体当前流量趋向于冷却气体目标流量。本发明还提供了一种冷却气体流量控制装置，以及具有该装置的热交换晶体生长系统。上述方案能够解决目前通过冷却气体流量‑时间关系曲线控制冷却气体流量来实现晶体生长所存在适应性和晶体一致性较差的问题。

技术领域

本发明涉及晶体生长技术领域，更为具体地说，涉及一种冷却气体流量控制方法及装置，本发明还涉及一种包括上述冷却气体流量控制装置的热交换晶体生长系统。

背景技术

自下而上方向生长晶体(例如蓝宝石)的方法有多种，例如热交换法、坩埚下降法、温梯法等。其中，热交换法以其自动化程度高、热场稳定、寿命长、对人工依赖较低等优势成为晶体生长的主要方法。

请参考附图1，图1是一种典型的采用热交换法进行晶体生长的热交换晶体生长系统示意图。图1所示的热交换晶体生长系统包括炉体1、上保温层2、发热体3、侧保温层4、下保温层5、热交换套管6、坩埚7、观察通孔8和观察窗9。其中，上保温层2、下保温层5和侧保温层4形成用于容纳坩埚7的加热腔。发热体3设置在加热腔中，且位于侧保温层4的内壁和坩埚7的侧壁之间，用于对坩埚7加热。上保温层2设置有观察通孔8，操作人员可以通过位于炉体1顶部的观察窗9和上保温层2上的观察通孔8观察坩埚7内的晶体生长情况。热交换套管6自所述炉体1的底部依次穿过炉体1和下保温层5直抵坩埚7的底部，热交换套管6由相互套设的两个管体组成以形成热交换通道。其中，热交换通道包括进气通道61、出气通道62以及连通两者的热交换腔(图1中与坩埚7接触的空间)。冷却气体(例如氦气)通过进气通道61进入到热交换腔后与坩埚7底部换热，然后从出气通道62排出。上述晶体生长系统通过冷却气体的冷却作用带走晶体生长所释放出来的潜热，从而促进晶体的不停生长，直至长晶完成。在热交换长晶的过程中，冷却气体流量随时间的变化对于晶体生长质量和生长效率至关重要。

目前，冷却气体流量控制通过试验确定出的冷却气体流量-时间关系曲线实现，即通过基本固定的冷却气体流量-时间关系曲线控制各个炉台及同一炉台不同炉次的晶体生长。但是，由于不同炉台或不同炉次之间设备、热场、原料、装炉方式、热交换系统存在差异，而且不同炉台或不同炉次内晶体生长的热历史也不尽相同，因此通过冷却气体流量-时间关系曲线控制冷却气体的流量进而实现对晶体生长的控制存在很强的经验性，无法适应不同炉台或不同炉次的差异化对晶体生长带来的影响，最终导致不同炉台或不同炉次所生长的晶体一致性较差。

发明内容

一方面，本发明提供了一种冷却气体流量控制方法，以解决目前通过冷却气体流量-时间关系曲线控制冷却气体的流量进而导致晶体生长存在的适应性和一致性较差的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

冷却气体流量控制方法，用于热交换晶体生长系统的冷却气体流量控制，包括以下步骤：

11)获取冷却气体热交换后的温度以及冷却气体当前流量；

12)根据所述冷却气体热交换后的温度和预设传热速率计算冷却气体目标流量，所述冷却气体目标流量Fn＝22.4*q/{C*m*(Tn-T0)}，其中，q是预设传热速率，C是冷却气体的比热容，Tn是冷却气体热交换后的温度，T0是冷却气体热交换前的温度，m是冷却气体的摩尔质量；

13)调节所述冷却气体当前流量趋向于所述冷却气体目标流量。

优选的，上述冷却气体流量控制方法中，步骤12)和步骤13)之间还包括：

21)计算所述冷却气体当前流量与所述冷却气体目标流量的差值；