[发明专利]开关电源的OCP补偿电路及方法有效

专利信息
申请号: 201410436694.3 申请日: 2014-08-29
公开(公告)号: CN104184306B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 周伟江;吴建兴 申请(专利权)人: 杭州士兰微电子股份有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 张振军
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关电源 ocp 补偿 电路 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及开关电源技术,尤其涉及一种开关电源的OCP补偿电路及方法。

背景技术

开关电源中,OCP补偿是一种连续模式在不同输入电压情况下保证输出功率一致性的技术方案。通常,检测点极限值都会在固定值的基础上叠加一个随占空比增大而增大的增量,该增量值就是OCP补偿量。

从系统输出功率一致性的需要来讲,随着占空比变大,需要的OCP补偿量也要大。然而,在输入电压比较低的时候,会存在一个很严重的问题,如图1所示。在一般应用中,检测点随占空比增大呈线性增长,那么当输入电压比较低的时候,检测点线性增长的斜率会很小,至少比检测点极限值线的斜率要小,这样要达到检测点极限值线上的某个点,比如在占空比为D1时的检测点为V1,理论上讲必须是通过需要的理想线才能到达目标。但是实际上,由于需要的理想线在占空比小于D1时已经超过了检测点极限值线,这样会在占空比为0的时候立刻响应检测点极限值线,因而达不到需要的理想线。由上,最终平衡的结果是只能达到实际线,也就是在占空比为0时,刚好没有碰到检测点极限值线,而之后就一直没有碰到检测点极限值线,只能通过占空比最大值的限制将开关强制关断。

因此,将OCP补偿量做大,又不影响检测点在有效占空比内的增长线,一直是连续模式在不同输入电压情况下保证输出功率一致性的难题。

现有技术中的OCP补偿量通常是采用随占空比变化的线性补偿方式或者分段线性补偿方式,如图2A至图2D所示。其中,图2A是在有效占空比范围0~DMAX内的线性补偿;图2B是在占空比较小的一段0~D1的补偿量为0,中间一段D1~D2线性补偿,最后一段D2~DMAX维持最大值不变;图2C是在占空比较小的一段0~D1线性补偿,后面一段D1~DMAX维持最大值不变;图2D是占空比较小的一段0~D1以较小的斜率线性补偿,后面一段D1~DMAX以更大的斜率线性补偿。

图3示出了分段线性补偿方式的一种实现电路10,该电路10包括:

第一电流源31,产生电流I1

第二电流源38,由第一PMOS管39控制开通,产生一个电流I3,电流I1和受控制的电流I3对电容C充电产生分段线性电压信号22;

第一PMOS管39,由第一输入数字信号28控制,对第二电流源38进行开通和断开的控制;

第一NMOS管32,由第二输入数字信号21控制,对分段线性电压信号22进行置零和断开的控制;

PNP三极管37,由输入模拟信号27控制,对分段线性电压信号22进行最高点钳位控制;

第二NMOS管34,由运算放大器33的输出信号24控制,源端产生跟随分段线性电压信号22的信号23,通过第二PMOS管35、第二NMOS管34和电阻R,信号23被转换为电流I2,电流I2与分段线性电压信号22和电阻R相关;

第三PMOS管36输出补偿电流I0,即反映OCP补偿量的电流,该补偿电流I0由电流I2镜像产生。

其中,分段线性电压信号22为电容C两端的电压信号,电容C的一端连接电流源31的输出端、第一PMOS管39的漏端、PNP三极管37的发射极、第一NMOS管32的漏端以及运算放大器33的正端,电容C的另一端连接地。第一PMOS管39的源端连接电流源38的一端,栅端接收第一输入数字信号28,电流源38的另一端连接电源VDD。PNP三极管37的集电极接地GND,基极接收输入模拟信号27。第一NMOS管32的源端接地,栅端接收第二输入数字信号21。运算放大器33的负端连接电阻R的一端和第二NMOS管34的源端,输出端连接第二NMOS管34的栅端,电阻R的另一端连接地。第二NMOS管34的漏端25连接第二PMOS管35的漏端。电流源31输出的电流为I1,电流源38输出的电流为I3,第二PMOS管35的源漏电流为I2。第二PMOS管35的漏端连接自身的栅端,并连接第三PMOS管36的栅端,第二PMOS管35和第三PMOS管36的源端连接电源VDD,第二PMOS管36的漏端26作为输出端,第三PMOS管36的源漏电流为I0

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰微电子股份有限公司,未经杭州士兰微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410436694.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top