[发明专利]一种基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述集成太阳电池自下而上依次包括透明电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、有机物共混层、任选地空穴阻挡层以及金属电极，其中，所述有机物共混层是指体异质结太阳电池给体材料和受体材料的混合膜；

所述有机物共混层中给体材料和受体材料的质量比为1:0.5～1:6。

2.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的厚度为100～500nm。

3.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述有机物共混层的厚度为30～200nm。

4.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度为0～20nm。

5.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述金属电极的厚度为70～390nm。

6.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述透明电极包括氧化铟锡、氟掺杂氧化锡覆盖的玻璃基底、铝掺杂氧化锌覆盖的玻璃基底或PET柔性基底中的任意一种。

7.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括PEDOT:PSS、氧化石墨烯、金属氧化物NiO_x或VO_x中的任意一种或者至少两种的混合物，x＝1～3。

8.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括PEDOT:PSS、氧化石墨烯或氧化镍NiO_x中的任意一种或者至少两种的混合物，x＝1～3。

9.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的材料为CH₃NH₃MI_3-xB_x，其中x＝0～3，M选自Pb或Sn，B选自I、Cl或Br。

10.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的材料为CH₃NH₃PbI₃、CH₃NH₃PbI_3-xCl_x或CH₃NH₃PbI₂Br中的任意一种或者至少两种的混合物。

11.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述给体材料是应用于体异质结太阳电池的光学带隙小于1.5eV的共轭聚合物或/和小分子。

12.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述给体材料选自PDPP3T、PMDPP3T、PDPPBTT或PDTP-DFBT中的任意一种或者至少两种的混合物。

13.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述受体材料是任意一种富勒烯衍生物或者至少两种富勒烯衍生物的混合物。

14.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述受体材料选自PC₆₁BM或/和PC₇₁BM。

15.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料包括钙、氟化锂或碳酸铯中的任意一种或者至少两种的混合物。

16.如权利要求1所述的基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料选自钙或/和氟化锂。