[发明专利]三维NAND存储器的制造方法

权利要求书

1.一种三维NAND存储器的制造方法，包括：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成多层层叠结构，所述层叠结构包括第一材料层和第二材料层；

刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出半导体基底；

在所述通孔中形成无定型硅层；

刻蚀所述层叠结构以打开字线开口；

去除层叠结构中的第二材料层，暴露出无定型硅层侧壁；

在第一材料层表面和暴露出的无定型硅层侧壁进行ONO层的沉积；以及

进行退火处理。

2.如权利要求1所述的三维NAND存储器的制造方法，其特征在于，所述第一材料层的材质为二氧化硅、第二材料层的材质为氮化硅。

3.如权利要求2所述的三维NAND存储器的制造方法，其特征在于，利用湿法刻蚀工艺去除所述第二材料层。

4.如权利要求1所述的三维NAND存储器的制造方法，其特征在于，在所述通孔中形成无定型硅层后，紧接着进行平坦化工艺，使得无定型硅层上表面平整。

5.如权利要求1所述的三维NAND存储器的制造方法，其特征在于，在所述第一材料层表面经过化学气相沉积工艺分别沉积二氧化硅、氮化硅和二氧化硅以形成所述ONO层。

6.如权利要求1所述的三维NAND存储器的制造方法，其特征在于，所述退火处理为采用激光退火工艺。