[发明专利]一种形成器件正面金属图形的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种形成器件正面金属图形的方法。

背景技术

随着集成电路集成度的不断提高，贴片封装工艺已得到了很好的发展，采用贴片工艺时要求器件的正面金属由不同的金属层构成，例如铝、钛、镍、银、锰、钒等金属层的组合。上述金属层的形成方法可以采用溅射或蒸发工艺，通过溅射或蒸发工艺形成的大面积金属需要断开以形成单个的器件或器件的不同接触点，实施所述大面积金属断开的传统方法是采用依次实施的涂胶-曝光-显影-湿法腐蚀-去胶工艺，由于湿法腐蚀蚀刻不同的金属材料需要不同的腐蚀液，且相同的腐蚀液对不同金属材料的腐蚀速率也不一样，因而造成在几层金属腐蚀后，会出现参差不齐的腐蚀断面而影响后续工艺的进行或造成器件可靠性的降低。

因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种形成器件正面金属图形的方法，包括：形成器件内部互连金属层；形成覆盖晶圆正面的第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层实施无所述器件正面金属图形的曝光处理；形成覆盖所述第一光刻胶层的第二光刻胶层；实施有所述器件正面金属图形的曝光处理，并对经过所述曝光的区域的自下而上层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理；形成覆盖所述晶圆正面的器件正面金属层；对所述晶圆依次实施贴膜处理和揭膜处理，依靠纯物理属性的粘附力将所述光刻胶层以及位于所述光刻胶层上方的器件正面金属层部分一起撕拉掉；对所述晶圆进行表观检查。

在一个示例中，形成所述器件内部互连金属层之后，还包括形成覆盖所述器件内部互连金属层的钝化层的步骤，以避免实施后续工艺时所述器件内部互连金属层的表面发生氧化。

在一个示例中，形成所述钝化层之后，还包括图案化并蚀刻所述钝化层以在其中形成开口图案的步骤，通过所述开口图案露出部分所述器件内部互连金属层。

在一个示例中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的厚度为2微米-4微米。

在一个示例中，分别形成所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层之前，还包括对所述晶圆实施涂胶之前的预处理步骤。

在一个示例中，分别形成所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层之后，还包括实施热处理的步骤，以保证所述光刻胶层的保型和附着力。

在一个示例中，实施所述显影处理之后，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层构成屋檐结构。

在一个示例中，采用金属蒸发工艺形成所述器件正面金属层，所述金属蒸发的温度下不高于80℃。

在一个示例中，在对所述晶圆进行表观检查之前，还包括对所述晶圆再依次实施所述贴膜处理和所述揭膜处理的步骤，以确保完全去除所述光刻胶层及其上方的器件正面金属层的残余部分。

在一个示例中，所述器件正面金属层的构成材料为包括铝、钛、镍、银、锰、钒在内的金属及其组合。

根据本发明，实施所述金属蒸发形成所述器件正面金属层之后，通过所述揭膜处理仅需要一次物理性撕拉就可完成所有的金属处理，相比现有技术，无需使用不同的化学腐蚀液和腐蚀槽，避免漂胶现象的发生，降低工艺成本；只要控制好所述金属蒸发的温度和金属外溅，就可以很好地确保工艺的稳定性，提升工艺的可重复性。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1为根据本发明示例性实施例的方法依次实施的步骤的流程图；

图2为根据本发明示例性实施例的方法实施显影后自下而上层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层构成屋檐结构的示意图；

图3A-图3G为根据本发明示例性实施例的方法依次实施的步骤所分别获得的器件的示意性剖面图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的形成器件正面金属图形的方法。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。