[发明专利]一种薄膜晶体管及相应的制备方法、显示基板和显示装置在审
| 申请号： | 201410437600.4 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104241394A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张立;王美丽;刘凤娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 相应 制备 方法 显示 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：有源层(4)、金属保护层(5)、连接阻挡层(7)和源漏电极(6)，其中：
所述金属保护层(5)形成于所述有源层(4)的上表面；
所述源漏电极(6)形成于所述金属保护层(5)的上表面；
所述连接阻挡层(7)由所述金属保护层(5)形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层(4)由金属氧化物制成。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属保护层(5)由能够对显影液和刻蚀液起阻挡作用的导电材料制成。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，对于暴露在所述源漏电极(6)的沟道区中的金属保护层(5)进行钝化处理来形成所述连接阻挡层(7)，或者将位于所述源漏电极(6)的沟道区中的金属保护层(5)去除来形成所述连接阻挡层(7)。
5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，对于顶栅结构的薄膜晶体管，还包括位于所述源漏电极(6)之上的栅极绝缘层(3)，以及位于所述栅极绝缘层(3)之上的栅极层(2)；对于底栅结构的薄膜晶体管，还包括位于所述有源层(4)之下的栅极绝缘层(3)，以及位于所述栅极绝缘层(3)之下的栅极层(2)。
6.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示基板。
8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
在基板(1)上形成有源层(4)，并进行图形化；
在所述有源层(4)上形成金属保护层(5)，并进行图形化；
在所述金属保护层(5)上形成源漏电极(6)，并进行图形化；
由所述金属保护层(5)形成连接阻挡层(7)。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述有源层(4)由金属氧化物制成。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述金属保护层(5)由能够对显影液和刻蚀液起阻挡作用的导电材料制成。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，对于暴露在所述源漏电极(6)的沟道区中的金属保护层(5)进行钝化处理来形成所述连接阻挡层(7)，或者将位于所述源漏电极(6)的沟道区中的金属保护层(5)去除以形成所述连接阻挡层(7)。
12.根据权利要求8-11任一项所述的制备方法，其特征在于，对于顶栅结构的薄膜晶体管，还包括在所述源漏电极(6)上形成栅极绝缘层(3)，以及在所述栅极绝缘层(3)上形成栅极层(2)的步骤；对于底栅结构的薄膜晶体管时，在形成所述有源层(4)之前，还包括在所述基板(1)上形成栅极层(2)，以及在形成有所述栅极层(2)的基板上形成栅极绝缘层(3)的步骤。
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