[发明专利]显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板

权利要求书

1.一种方法，该方法包括以下步骤：

形成显示装置，该显示装置包括：

在所述显示装置中的公共电压金属线，该公共电压金属线在所述显示装置的下钝化层和上钝化层两者中的第一孔区域之下；

公共电极层，该公共电极层在所述显示装置中被形成在所述下钝化层上方并且在所述上钝化层中的第二孔区域之下；以及

跳接像素电极图案，该跳接像素电极图案通过所述第二孔区域连接到所述公共电极层并且通过所述第一孔区域连接到所述公共电压金属线；

去除所述跳接像素电极图案的一部分，保留在所述上钝化层中的所述第二孔区域中的残余像素电极图案；以及

形成将所述公共电压金属线连接到所述残余像素电极图案的返工像素电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述跳接像素电极图案的一部分的步骤包括以下步骤：

形成覆盖所述跳接像素电极图案的光致抗蚀剂层；

将返工掩模定位在所述显示装置上，所述返工掩模包括与所述残余像素电极图案相对应的返工像素电极图案；以及

对所述光致抗蚀剂层进行显影；

去除除了所述光致抗蚀剂层的与所述返工像素电极图案相对应的部分之外的所述光致抗蚀剂层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述光致抗蚀剂层的步骤包括以下步骤：

使除了所述光致抗蚀剂层的与所述返工像素电极图案相对应的所述部分之外的所述光致抗蚀剂层暴露于紫外光；以及

蚀刻除了所述光致抗蚀剂层的与所述返工像素电极图案相对应的所述部分之外的所述光致抗蚀剂层。

4.根据权利要求3所述的方法，所述方法进一步包括：去除保留在所述返工像素电极图案上的残余光致抗蚀剂层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过湿法蚀刻去除所述残余光致抗蚀剂层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述跳接像素电极图案的一部分的步骤包括：

使用返工掩模，该返工掩模防止在所述第二孔区域中的所述跳接像素电极图案和所述公共电极层在所述跳接像素电极图案的表面被蚀刻时被蚀刻。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述返工掩模包括阻挡光透射到所述第二孔区域的光阻挡图案。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在与栅金属层相同的层中形成所述公共电压金属线，并且通过打开所述下钝化层、所述上钝化层以及栅绝缘层而形成所述第一孔；并且

其中，在与所述显示装置的薄膜晶体管的源/漏金属层相同的层中形成所述公共电压金属线。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，待返工的所述显示装置通过没有用于所述下钝化层的图案化的下钝化层掩模的工艺来制造。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下钝化层具有包括第一无机钝化层和有机钝化层的多层结构。

11.一种用于显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：

顺序地形成在所述显示装置的薄膜晶体管区域中的下钝化层、公共电极层、上钝化层以及跳接像素电极图案；

用于电互连所述显示装置的所述公共电极层和公共电压金属线的跳接钝化孔；以及

在所述跳接钝化孔的区域中顺序地形成在所述下钝化层上的公共电极层、残余像素电极图案以及返工像素电极图案。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其中，所述残余像素电极图案通过返工掩模来形成，所述返工掩模防止在所述跳接钝化孔的区域中的电极层在返工期间被蚀刻。

13.根据权利要求11所述的阵列基板，其中，所述返工像素电极图案被形成为电互连通过第一接触孔而暴露的所述公共电压金属线与通过第二接触孔而暴露的所述残余像素电极图案和所述公共电极层，其中，所述第一接触孔通过部分地打开所述上钝化层和所述下钝化层而形成，所述第二接触孔通过部分地打开在所述跳接钝化孔的区域中的所述上钝化层而形成。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其中，在与栅金属层相同的层中形成所述公共电压金属线，并且通过打开所述下钝化层、所述上钝化层以及栅绝缘层而形成所述第一接触孔；并且

其中，在与源/漏金属层相同的层中形成所述公共电压金属线。