[发明专利]一种等离子体加工设备

权利要求书

1.一种等离子体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有承载装置和托盘，所述托盘用于承载多个基片，所述承载装置用于承载所述托盘，其特征在于，在所述承载装置内设置有吸附电极，所述吸附电极与电源电连接，以使所述托盘与所述承载装置采用静电吸附的方式固定，还包括驱动装置和转轴，所述转轴对应所述托盘的中心区域设置，所述转轴的一端与所述承载装置固定连接，所述转轴的另一端与所述驱动装置的驱动轴相连接，借助所述驱动装置的驱动轴旋转驱动所述转轴围绕该转轴中心轴水平旋转，以带动所述承载装置和所述托盘围绕该托盘中心轴水平旋转；

所述转轴的一端贯穿所述承载装置的下表面与所述承载装置固定连接；并且，所述转轴的外周壁上设置有导电层，所述导电层与所述吸附电极电连接，在所述导电层的外侧固定设置有与所述导电层相接触的接触电极，所述接触电极与所述电源电连接，所述电源通过所述接触电极、所述导电层与所述吸附电极电连接。

2.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述导电层、所述吸附电极、所述接触电极和所述电源输出端一一对应，且至少为两个，并且至少两个所述导电层沿所述转轴的周向间隔设置。

3.根据权利要求2所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述吸附电极包括第一电极和第二电极，定义所述第一电极和所述第二电极上需要施加的电压分别为第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压的电性相反；所述导电层包括第一导电层和第二导电层，分别与所述第一电极和第二电极电连接；所述接触电极包括与第一导电层和第二导电层对应的第一接触电极和第二接触电极；所述电源包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端与所述第一接触电极电连接，所述第二输出端与所述第二接触电极电连接；预设所述第一输出端和第二输出端的输出电压均为周期等于所述转轴旋转周期的周期电压信号，并且

所述第一输出端的输出电压设置为：当所述转轴的第一导电层旋转至与所述第一接触电极相接触的位置处时，所述第一输出端的输出电压为所述第一电压；当所述转轴的所述第二导电层旋转至与所述第一接触电极相接触的位置处时，所述第一输出端的输出电压为所述第二电压；

所述第二输出端的输出电压设置为：当所述转轴的第一导电层旋转至与所述第二接触电极相接触的位置处时，所述第二输出端的输出电压为所述第一电压；当所述转轴的所述第二导电层旋转至与所述第二接触电极相接触的位置处时，所述第二输出端的输出电压为所述第二电压。

4.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述导电层为沿所述转轴的周向设置的环形导电层，所述吸附电极与所述环形导电层电连接，在所述环形导电层的外侧固定设置有与所述环形导电层相接触的接触电极，所述接触电极与所述电源的电连接，所述电源通过所述接触电极、所述环形导电层与所述吸附电极电连接。

5.根据权利要求2或4所述的等离子体加工设备，其特征在于，在所述导电层和所述转轴的外周壁之间设置有绝缘层。

6.根据权利要求2所述的等离子体加工设备，其特征在于，在相邻两个所述导电层之间设置有绝缘层。

7.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述转轴的一端贯穿所述承载装置的上下表面且与所述托盘接触，在所述转轴内且沿所述转轴的长度方向还设置有第一冷却管道，并且，在所述托盘内还设置有第二冷却管路，所述第一冷却管道与所述第二冷却管道相连通，冷却介质自所述第一冷却管道输送至所述第二冷却管路，以实现对所述基片进行冷却。

8.根据权利要求7所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述第一冷却管的输入端所在的所述转轴的端口处设置有磁流体密封件。

9.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述承载装置由上至下依次设置有静电吸盘、卡座和加热台，所述转轴的一端与所述静电吸盘固定连接；或者，所述转轴的一端与所述静电吸盘和所述卡座均固定连接；或者，所述转轴的一端与所述静电吸盘、所述卡座和所述加热台均固定连接。