[发明专利]含二吡唑并芘的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件有效
申请号: | 201410438947.0 | 申请日: | 2014-08-30 |
公开(公告)号: | CN104262347B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 尹恩心;林文晶 | 申请(专利权)人: | 上海珂力恩特化学材料有限公司 |
主分类号: | C07D487/06 | 分类号: | C07D487/06;C07D519/00;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所22210 | 代理人: | 南小平 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 吡唑 半导体材料 及其 制备 方法 材料 制成 有机 发光 器件 | ||
1.一种含二吲唑并芘的蓝光半导体材料,其特征在于,该材料的结构表达式为:
式Ⅰ中,R代表取代或未取代的碳原子数为10-20的芳基、取代或未取代的碳原子数为7-18的杂芳基或三芳胺基。
2.根据权利要求1所述的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料,其特征在于,所述的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料为下述结构式所示的化合物1-20中的一种:
3.根据权利要求1或2所述的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:向脱气后的反应容器中加入二吲唑并芘中间体、含R基团的溴化物、催化剂、碱和溶剂;
步骤S2:升高反应温度并回流,充分反应;
步骤S3:冷却,过硅胶漏斗,洗涤,旋干,重结晶得到含二吲唑并芘的蓝光半导体材料。
4.根据权利要求3所述的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述的二吲唑并芘中间体是由1,6-二甲基芘经硝化、还原、环合而成的。
5.根据权利要求3所述的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述反应温度为110℃,进行回流的时间为24h。
6.一种由权利要求1所述的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料制成的有机发光器件,其包括第一电极、第二电极、以及置于所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个有机化合物层,其特征在于,至少一个所述有机化合物层包含所述含二吲唑并芘的蓝光半导体材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海珂力恩特化学材料有限公司,未经上海珂力恩特化学材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410438947.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种头孢替唑钠的制备工艺
- 下一篇:一种表箱引线固定装置