[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有栅介质层、替代栅和层间介质层，所述替代栅位于所述栅介质层表面，所述层间介质层与所述替代栅表面齐平；

去除部分高度的替代栅，形成第一沟槽；

对所述层间介质层顶角区域进行离子注入，形成改性区；所述离子注入方法的离子种类为C；

同时去除所述改性区和剩余替代栅，形成第二沟槽，所述第二沟槽顶部尺寸大于底部尺寸；

形成填充满所述第二沟槽的金属栅极。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层为高k值材料，厚度为

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述替代栅的厚度范围为

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分高度的替代栅的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入方向与垂直衬底方向成5度～45度锐角。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性区剖面为直角三角形或者类直角三角形，形成于所述层间介质层内部，位于所述层间介质层顶角区域，紧邻所述第一沟槽侧边。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述类直角三角形具有内凹或者外凸的斜边。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性区高度范围为

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述改性区和剩余替代栅的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有栅介质层、替代栅和层间介质层，所述替代栅位于所述栅介质层表面，所述层间介质层与所述替代栅表面齐平；

去除部分高度的替代栅，形成第一沟槽；

对所述层间介质层顶角区域进行离子注入，形成改性区；所述离子注入方法的离子种类为C；

同时去除所述改性区和剩余替代栅，形成第二沟槽，所述第二沟槽顶部尺寸大于底部尺寸；

去除所述栅介质层，形成第三沟槽，所述第三沟槽顶部尺寸大于底部尺寸；

形成覆盖第三沟槽和层间介质层的高k介质层，得到第四沟槽；

形成填充满所述第四沟槽的金属栅极。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层为氧化硅或者氮氧化硅。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述替代栅的厚度范围为

13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分高度的替代栅的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

14.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入方向与垂直衬底方向成5度～45度锐角。

15.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性区剖面为直角三角形或者类直角三角形，形成于所述层间介质层内部，位于所述层间介质层顶角区域，紧邻所述第一沟槽侧边。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述类直角三角形具有内凹或者外凸的斜边。

17.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性区高度范围为