[发明专利]固体摄像装置在审
申请号: | 201410439767.4 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN104900664A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 杉浦裕树 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
相关申请的参照:
本申请主张2014年3月4日申请的日本专利申请号2014-042132的优先权的利益,其日本专利申请的全部内容被引入本申请中。
技术领域
本实施方式一般涉及固体摄像装置。
背景技术
以往,固体摄像装置具备对入射的光进行光电变换的多个光电变换元件。在各光电变换元件的受光面侧,例如以2维状拜耳排列有选择性地使红色、蓝色、绿色中的某一色的光透射的滤色器。
该固体摄像装置近年来随着小型化进展,有对应于摄像图像的各像素的光电变换元件被微细化的倾向。与此相伴地,在固体摄像装置中,各光电变换元件的受光面的面积被缩小,因此受光灵敏度下降。
发明内容
本发明要解决的课题是,提供一种能够提高受光灵敏度的固体摄像装置。
一个实施方式的固体摄像装置,具备:半导体层,设有对入射的光进行光电变换的多个光电变换元件;有机光电变换层,设置在上述半导体层的受光面侧,将规定波长区域的光吸收并进行光电变换,使上述规定波长区域以外的波长区域的光透射;以及微透镜,设置在隔着上述有机光电变换层而与上述多个光电变换元件的各受光面分别相对置的位置,将入射的光向上述光电变换元件聚光。
根据上述构成的固体摄像装置,能够使受光灵敏度提高。
附图说明
图1是表示具备第一实施方式的固体摄像装置的数码摄像机的概略构成的框图。
图2是表示第一实施方式的固体摄像装置的概略构成的框图。
图3是示意地表示第一实施方式的像素阵列的上表面的说明图。
图4是表示图3所示的像素阵列的P-P′线处的剖面的说明图。
图5A~图5D是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。
图6A~图6C是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。
图7A~图7C是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。
图8是表示第一实施方式的像素阵列的构成的一部分的说明图。
图9是表示第二实施方式的像素阵列的构成的一部分的说明图。
图10是表示第三实施方式的图像传感器的一部分的剖视的说明图。
图11是示意地表示第四实施方式的像素阵列的平面的说明图。
图12是表示图11所示的像素阵列的Q-Q′线处的剖面的说明图。
图13是表示第五实施方式的图像传感器的一部分的剖视的说明图。
具体实施方式
根据本实施方式,提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备半导体层、有机光电变换层、和微透镜。半导体层设置将入射的光进行光电变换的多个光电变换元件。有机光电变换层设置在上述半导体层的受光面侧,吸收规定波长区域的光并进行光电变换,使上述规定波长区域以外的波长区域的光透射。微透镜设置在隔着上述有机光电变换层而与上述多个光电变换元件的各受光面分别相对置的位置上,将入射的光向上述光电变换元件聚光。
以下参照附图来详细说明实施方式的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。另外,并不通过这些实施方式来限定本发明。
(第一实施方式)
图1是表示具备第一实施方式的固体摄像装置14的数码摄像机1的概略构成的框图。如图1所示,数码摄像机1具备摄像机模块11和后级处理部12。
摄像机模块11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系统13获取来自被摄体的光,使被摄体像成像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像,将通过摄像而得到的图像信号向后级处理部12输出。该摄像机模块11除了数码摄像机1以外,例如适用于带摄像机的便携式终端等电子设备。
后级处理部12具备ISP(Image Signal Processor)15、存储部16以及显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。该ISP15进行例如去噪处理、缺陷像素修正处理、分辨率变换处理等高画质化处理。
此外,ISP15将信号处理后的图像信号向存储部16、显示部17以及摄像机模块11内的固体摄像装置14所具备的后述的信号处理电路21(参照图2)输出。从ISP15向摄像机模块11反馈的图像信号被用于固体摄像装置14的调整或控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的