[发明专利]静态随机存储器及其布局和存取方法

说明书

一种静态随机存储器及其布局和存取方法。其中，所述静态随机存储器包括第一反相器，具有第一驱动晶体管和第一负载晶体管；第二反相器，具有第二驱动晶体管和第二负载晶体管；第一传输晶体管，连接在所述第一反相器的输出端；第二传输晶体管，连接在所述第二反相器的输出端；还包括：至少一个第一辅助驱动晶体管；至少一个第二辅助驱动晶体管；至少一个第一辅助传输晶体管，连接在所述第一反相器的输出端；所述第一辅助传输晶体管的栅极与所述第一传输晶体管的栅极分离；至少一个第二辅助传输晶体管，连接在所述第二反相器的输出端；所述第二辅助传输晶体管的栅极与所述第二传输晶体管的栅极分离。所述静态随机存储器稳定性能提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种静态随机存储器及其布局和存取方法。

背景技术

现有技术在半导体存储器件中，静态随机存储器(SRAM)器件与动态随机存取存储器(DRAM)器件相比具有更低的功耗和更快的工作速度的优点。静态随机存储器又可以很容易地通过位图测试设备进行物理单元定位，研究产品的实效模式。

静态随机存储器的可以分为电阻负载静态随机存储器和互补金属氧化物半导体(CMOS)静态随机存储器。电阻负载静态随机存储器单元采用高电阻值的电阻作为负载器件，而互补金属氧化物半导体静态随机存储器单元采用P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管作为负载器件。在互补金属氧化物半导体静态随机存储器包含多个NMOS晶体管和PMOS晶体管。

现有互补金属氧化物半导体静态随机存储器的性能不佳。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种静态随机存储器及其布局和存取方法，以提高静态随机存储器的性能，并同时提高静态随机存储器的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种静态随机存储器，包括：

第一反相器，具有第一驱动晶体管和第一负载晶体管；

第二反相器，具有第二驱动晶体管和第二负载晶体管；

第一传输晶体管，连接在所述第一反相器的输出端；

第二传输晶体管，连接在所述第二反相器的输出端；

还包括：

至少一个第一辅助驱动晶体管，位于所述第一反相器中；

至少一个第二辅助驱动晶体管，位于所述第二反相器中；

至少一个第一辅助传输晶体管，连接在所述第一反相器的输出端；

所述第一辅助传输晶体管的栅极与所述第一传输晶体管的栅极分离；

至少一个第二辅助传输晶体管，连接在所述第二反相器的输出端；

所述第二辅助传输晶体管的栅极与所述第二传输晶体管的栅极分离。

可选的，所述第一辅助传输晶体管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述第二辅助传输晶体管的栅极连接所述第二反相器的输出端。

可选的，所述第一辅助传输晶体管至少有两个，并且全部所述第一辅助传输晶体管的栅极连接在一起；所述第二辅助传输晶体管至少有两个，并且全部所述第二辅助传输晶体管的栅极连接在一起。

可选的，所述第一辅助驱动晶体管至少有两个，并且全部所述第一辅助驱动晶体管的栅极连接在一起；所述第二辅助驱动晶体管至少有两个，并且全部所述第二辅助驱动晶体管的栅极连接在一起。

可选的，全部所述晶体管位于矩形区域中，并且全部所述晶体管的沟道长度所在方向平行于所述矩形区域的其中一边。

可选的，全部所述晶体管均为鳍式场效应晶体管。