[发明专利]一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法

权利要求书

1.一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，包括以下步骤：

1)在包含有碳纳米管阵列的基底上蒸镀一层有机薄膜，所述碳纳米管阵列的密度大于10根/μm；

2)有机薄膜蒸镀完成后，在金属性碳纳米管上烧出沟槽，所述沟槽的开口为100～200nm；

3)继续在烧出沟槽的基底上蒸镀有机薄膜，并重复步骤2)，使沟槽内的有机物薄膜向两侧流动，使得金属性碳纳米管暴露出来；

4)刻蚀掉暴露出的金属性碳纳米管。

2.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，所述有机薄膜是PMMA或TPPA。

3.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤1)包括：在基底上制备得到碳纳米管阵列后直接蒸镀一层有机薄膜；或者在上述制备有碳纳米管阵列的基底上制作好源漏电极和栅电极后再蒸镀一层有机薄膜；或者将制备得到的碳纳米管转移到Si/SiO₂基底上，在包含碳纳米管的Si/SiO₂基底上制作源漏电极和栅电极，然后再蒸镀一层有机薄膜。

4.如权利要求3所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，所述源漏电极和栅电极选自Ti、Al、Cu、Cr、Ca、Au或Pd，栅介质使用Al₂O₃或HfO₂。

5.如权利要求3所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤2)中，通过对基底施加微波，或者给基底上的源漏电极加电压，在金属性碳纳米管上烧出沟槽。

6.如权利要求3所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，所述基底上制作有源漏电极时，步骤4)还包括去除源漏电极和源漏电极覆盖下的碳纳米管。

7.如权利要求5所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，微波频率为2～3GHz；使用恒压源或者周期性电源给基底上的源漏电极加电压，单位长度的金属性碳纳米管上所加电压为1～1.5V。

8.如权利要求5所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，还包括在给源漏电极加电压之前对基底加热，加热温度60～100℃。

9.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤4)中使用ICP或者RIE进行刻蚀，反应气体为O₂/CF₄1:1混合，刻蚀时间为25～30s。