[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

提供器件晶圆，在所述器件晶圆的正面形成第一键合界面层；

提供支撑晶圆，在所述支撑晶圆的表面上形成第二键合界面层；

对所述支撑晶圆执行氢离子注入，在离所述第二键合界面层有预定深度的区域中形成氢离子注入层；

进行键合工艺，将所述器件晶圆的所述第一键合界面层和所述支撑晶圆的所述第二键合界面层相接合；

对所述器件晶圆的背面进行减薄；

执行退火处理实现氢脆碎裂解键合，以剥离大部分的所述支撑晶圆；

去除所述器件晶圆上剩余的所述支撑晶圆。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一键合界面层的材料为氧化物。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一键合界面层的厚度为

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一键合界面层的方法包括以下步骤：

在所述器件晶圆的正面沉积第一键合界面材料层；

对所述第一键合界面材料层执行化学机械研磨，以获得第一键合界面层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过热氧化的方法，在所述支撑晶圆表面形成热氧化氧化硅层作为所述第二键合界面层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预定深度为50～150埃。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述退火的温度为350～550℃，时间为2～5分钟。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用湿法清洗的方法，去除所述剩余支撑晶圆。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述键合工艺为氧化物熔融键合工艺。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一键合界面层之前，在所述器件晶圆的正面还形成有焊盘。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在去除所述剩余支撑晶圆后，还包括以下步骤：

在所述器件晶圆的所述第一键合界面层表面上形成图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一键合界面层，以暴露所述焊盘；

去除所述图案化的光刻胶层。

12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述减薄之后和所述解键合之前，还包括对所述器件晶圆的背面执行背部工艺的步骤。

13.一种基于权利要求1至12之一所述的制作方法得到的半导体器件。

14.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的半导体器件。