[发明专利]等离子处理装置有效

专利信息
申请号: 201410440345.9 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104425202B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 置田尚吾;奥根充弘 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘建
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子处理装置,其对保持在搬运托架上的基板实施等离子处理,该搬运托架由环状的框架和保持片构成,所述等离子处理装置的特征在于,具备:

腔室,其具有能够减压的内部空间;

等离子源,其在所述腔室内产生等离子;

工作台,其设置在所述腔室内,并载置所述搬运托架;

罩,其载置在所述工作台上,覆盖所述保持片和所述框架,且具有以在厚度方向上贯通的方式形成的窗部,

所述罩由导热性优异的材料构成,暴露于等离子的表面中的、至少所述窗部的内周面由保护部覆盖,该保护部由与等离子反应的反应性低的材料构成,

所述保护部利用组装而安装于所述罩,在所述保护部和所述罩的接触部分形成有凹凸或者突起,或实施有粗糙面加工。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述保护部覆盖所述罩的暴露于等离子的表面整体。

3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述罩由导热性优异的金属材料构成,

所述保护部由石英、氧化铝、氮化铝、氟化铝、碳化硅、氮化硅中的任一材料构成。

4.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述罩由导热性优异的陶瓷材料构成,

所述保护部由石英、氧化铝、氮化铝、氟化铝、碳化硅、氮化硅中的任一材料构成,且装配于所述罩。

5.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述等离子处理装置具备使所述罩相对于所述工作台进行升降的升降机构,

所述升降机构在使所述罩下降时,使所述罩的外周部的下表面与所述工作台的上表面抵接。

6.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述等离子处理装置具备使所述工作台相对于所述罩进行升降的升降机构,

所述罩装配在所述腔室的内部,

所述升降机构使所述工作台的上表面与所述罩的外周部的下表面抵接。

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