[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一III族氮化物半导体层；

第二III族氮化物半导体层，形成在所述第一III族氮化物半导体层之上；

绝缘层，包括第一表面、以及经由所述第一表面而面对所述第二III族氮化物半导体层的第二表面，并且所述第二表面包含开口，所述开口的底部至少到达所述第二III族氮化物半导体层的内部；

漏极电极和源极电极，电耦合至所述第二III族氮化物半导体层，并且从俯视图看经由所述开口而彼此相互面对；

栅极电极，所述栅极电极的至少一部分沿着所述开口的深度方向经由所述开口的底部而面对所述第一III族氮化物半导体层；以及

第一场极板，所述第一场极板的至少一部分从俯视图看经由在所述开口与所述漏极电极之间的所述绝缘层而面对所述第二III族氮化物半导体层，

其中所述开口包括定位在所述漏极电极一侧的第一侧壁、以及定位在所述源极电极一侧的第二侧壁，

其中所述栅极电极包括从俯视图看面对所述漏极电极的第一侧表面，所述第一侧表面从俯视图看定位在所述第一侧壁与所述第二侧壁的内侧，

其中所述第一场极板的一部分嵌入在所述第一侧表面与所述第一侧壁之间，以及

其中所述栅极电极和所述第一场极板的至少一部分通过从俯视图看定位在所述第一侧壁与所述第二侧壁的内侧的第一绝缘构件而电绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第二场极板，所述第二场极板的至少一部分从俯视图看经由在所述开口与所述源极电极之间的所述绝缘层而面对所述第二III族氮化物半导体层，

其中所述栅极电极包括从俯视图看面对所述源极电极的第二侧表面，并且所述第二侧表面从俯视图看定位在所述第一侧壁与所述第二侧壁的内侧，

其中所述第二场极板的一部分嵌入在所述第二侧表面与所述第二侧壁之间，以及

其中所述栅极电极与所述第二场极板的至少一部分通过从俯视图看定位在所述第一侧壁与所述第二侧壁的内侧的第二绝缘构件而电绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一场极板和所述漏极电极从俯视图看在面对所述漏极电极和所述源极电极的方向上彼此分离地形成。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第一场极板和所述漏极电极从俯视图看在面对所述漏极电极和所述源极电极的方向上彼此分离地形成，

其中所述第二场极板和所述源极电极从俯视图看在面对所述漏极电极和所述源极电极的方向上彼此分离地形成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述第一场极板包括从俯视图看在面对所述漏极电极和所述源极电极的方向上、面对所述漏极电极的第一边缘区段，

其中所述第二场极板包括从俯视图看在面对所述漏极电极和所述源极电极的方向上、面对所述源极电极的第二边缘区段，以及

其中所述第一边缘区段与所述漏极电极之间的间隙在面对所述漏极电极和所述源极电极的方向上，比所述第二边缘区段与所述源极电极之间的间隙更大。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一侧表面从俯视图看在面对所述第一侧壁和所述第二侧壁的方向上，比所述开口的中央更接近于所述漏极电极。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述栅极电极的宽度从俯视图看在面对所述第一侧壁和所述第二侧壁的方向上，比将所述第一场极板的所述一部分嵌入在所述第一侧表面与所述第一侧壁之间所形成的区段的宽度、以及将所述第二场极板的所述一部分嵌入在所述第二侧表面与所述第二侧壁之间所形成的区段的宽度中的每一个宽度都更宽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中导电膜从所述开口向所述漏极电极一侧形成，凹槽从俯视图看形成在所述第一侧壁与所述第二侧壁的内侧，并且第一绝缘材料嵌入在所述凹槽的至少一部分中；

其中所述导电膜从俯视图看相对于所述第一绝缘构件在所述源极电极一侧形成栅极电极，并且从俯视图看还相对于所述第一绝缘构件在所述漏极电极一侧形成所述第一场极板。