[发明专利]一种提高外延机台产能的装置与方法

权利要求书

1.一种提高外延机台产能的装置，其特征在于，所述装置包括：

位于同一外延腔体内的若干第一基座、若干第二基座、若干第三基座和若干第四基座；

所述第一基座用于对硅片进行烘烤，所述第二基座与所述第三基座用于对硅片进行外延膜淀积，所述第四基座用于对硅片进行冷却处理；

在进行外延工艺时，硅片按第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的路径依次进行对应的工艺处理；

所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的材质均为石墨；所述装置还包括一传送设备，当所述硅片在其中一基座完成工艺处理后，通过所述传送设备将该硅片移至位于该基座的下一基座继续进行后续工艺处理。

2.如权利要求1所述的提高外延机台产能的装置，其特征在于，所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的温度控制相互独立。

3.一种提高外延机台产能的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、提供一外延机台装置，所述装置包括位于同一外延腔体内的若干第一基座、若干第二基座、若干第三基座和若干第四基座；

步骤S2、将一表面具有氧化层的硅片移至第一基座并进行烘烤处理，去除所述硅片表面的氧化层；

步骤S3、继续将所述硅片依次移至第二基座和第三基座对硅片进行外延膜淀积；

步骤S4、继续将所述硅片移至第四基座对硅片进行冷却处理；

当所述硅片完成冷却处理后，将该硅片移出外延机台，将第三基座的硅片移至第四基座进行冷却处理，同时将第二基座的硅片移至第三基座进行外延膜淀积，将第一基座的硅片移至第二基座进行外延膜淀积，并且将后续未进行外延工艺的硅片移至第一基座进行烘烤处理。

4.如权利要求3所述的提高外延机台产能的方法，其特征在于，所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的材质均为石墨。

5.如权利要求3所述的提高外延机台产能的方法，其特征在于，所述装置还包括一传送设备，当所述硅片在其中一基座完成工艺处理后，通过所述传送设备将该硅片移至位于该基座的下一基座继续进行后续工艺处理。

6.如权利要求3所述的提高外延机台产能的方法，其特征在于，所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的温度控制相互独立。