[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：

基板；

设置在在所述基板上的导热层，所述导热层具有若干个条形凸起；

设置在所述导热层上的平坦化层；

设置在所述平坦化层上的有源层，所述有源层由低温多晶硅薄膜施加黄光制程形成，所述有源层具有若干个活性沟道；

设置在所述有源层上的栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极；

每个所述条形凸起的所在位置在相应的每个所述活性沟道的所在位置的一侧之外，且两个位置相邻；

每个所述条形凸起的长度大于相应的每个所述活性沟道的宽度。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，每个所述条形凸起的所在位置位于每个所述活性沟道的所在位置的右侧。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，每个所述条形凸起的所在位置位于每个所述活性沟道的所在位置的左侧。

4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，每个所述条形凸起的宽度为0.1μm～3μm。

5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述导热层的厚度为≥所述平坦化层的厚度≥

6.根据权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，每个所述条形凸起的厚度≥

7.根据权利要求1至6任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述导热层的制作材料为碳化硅、氮化铝或氧化铝。

8.根据权利要求1至6任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述平坦化层的制作材料为氧化硅和有机材料中的一种或几种；

所述基板为玻璃基板、石英基板、聚酰亚胺基板或不锈钢基板。

9.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

1)在基板上沉积导热层，对所述导热层施加黄光制程，进行减薄，使所述导热层具有若干个条形凸起；

2)在所述具有若干个条形凸起的导热层上沉积平坦化层；

3)在所述平坦化层上沉积非晶硅层，然后对所述非晶硅层进行准分子激光退火，得到低温多晶硅薄膜，再对所述低温多晶硅薄膜施加黄光制程，得到具有若干个活性沟道的有源层；每个所述条形凸起的所在位置在相应的每个所述活性沟道的所在位置的一侧之外，且两个位置相邻；

每个所述条形凸起的长度大于相应的每个所述活性沟道的宽度；

4)在所述有源层上形成栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极，得到低温多晶硅薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中所述导热层的厚度为≥每个所述条形凸起的厚度≥

所述步骤2)中所述平坦化层的厚度≥

所述步骤3)中所述非晶硅层的厚度为30nm～60nm。