[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成垂直结构的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成第一氧化物层；

形成浅沟槽隔离件以将所述衬底划分成第一区和第二区；

在所述第一氧化物层和所述浅沟槽隔离件上方形成第一伪层；

蚀刻所述第一氧化物层和所述第一伪层以在所述第一区中形成第一凹槽并在所述第二区中形成第二凹槽；

在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成第二伪层；

去除所述第一伪层；

去除所述第一氧化物层；

蚀刻所述浅沟槽隔离件的一部分；以及

蚀刻所述衬底以使得所述衬底与所述浅沟槽隔离件的顶部对准，并且在所述第一区中形成第一垂直结构且在所述第二区中形成第二垂直结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上方形成所述第一氧化物层还包括：在所述衬底上方形成由氧化硅制成的所述第一氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一氧化物层和所述浅沟槽隔离件上方形成所述第一伪层还包括：在所述第一氧化物层和所述浅沟槽隔离件上方形成由导电材料制成的所述第一伪层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一氧化物层和所述浅沟槽隔离件上方形成所述第一伪层还包括：在所述第一氧化物层和所述浅沟槽隔离件上方形成由介电材料制成的所述第一伪层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成所述第二伪层还包括：形成对所述第一伪层而言具有高蚀刻选择性的所述第二伪层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成所述第二伪层还包括：在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成由SiOCN制成的所述第二伪层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述衬底以使得所述衬底与所述浅沟槽隔离件的顶部对准并且在所述第一区中形成所述第一垂直结构和在所述第二区中形成所述第二垂直结构还包括：蚀刻所述衬底以使得所述浅沟槽隔离件的顶部和所述衬底之间的断层小于20埃至100埃。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：对所述第二伪层实施化学机械抛光并停止在所述第一伪层处。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对所述第一垂直结构、所述第二垂直结构和所述衬底实施氢退火；

对所述第一垂直结构、所述第二垂直结构和所述衬底实施原位蒸汽产生工艺以形成第三氧化物层；

对所述浅沟槽隔离件实施STI致密退火；

蚀刻所述第三氧化物层同时保留所述浅沟槽隔离件；

在所述第一垂直结构、所述第二垂直结构和所述衬底上形成屏蔽氧化物；

穿过所述屏蔽氧化物将第一掺杂剂离子注入至所述衬底的第一区内；

穿过所述屏蔽氧化物将第二掺杂剂离子注入至所述衬底的第二区内；以及

去除所述屏蔽氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述浅沟槽隔离件以将所述衬底划分成所述第一区和所述第二区还包括：

在所述第一氧化物层上方形成停止层；

在所述停止层上方形成第二氧化物层；

在所述第二氧化物层上方形成平坦化层；

蚀刻所述第一氧化物层、所述停止层、所述第二氧化物层和所述平坦化层以暴露所述衬底的一部分；

去除所述平坦化层；

去除所述第二氧化物层；

蚀刻所述衬底的暴露部分以形成沟槽；

在所述沟槽中形成第三氧化物层；

抛光所述第三氧化物层并停止在所述停止层处；以及

去除所述停止层。