[发明专利]灵敏度可调的解调电路有效
申请号: | 201410441215.7 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN105447547B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 马和良 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
主分类号: | G06K19/067 | 分类号: | G06K19/067 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 解调电路 灵敏度 解调灵敏度 放大电路 幅度放大 开关导通 增加信号 可调的 检波滤波电路 迟滞比较器 包络信号 高通电路 默认设置 驱动电路 需求调整 耦合电路 读卡机 导通 解调 卡片 | ||
本发明公开了一种灵敏度可调的解调电路,由耦合电路,检波滤波电路,高通电路,放大电路,迟滞比较器以及驱动电路组成;放大电路,包括:第七NMOS晶体管,第八NMOS晶体管,第十三NMOS晶体管至第十八NMOS晶体管,第五PMOS晶体管,第六PMOS晶体管,第十一PMOS管至第十六PMOS晶体管,第三开关和第四开关。所述第三开关和第四开关默认设置为不导通,如果第三开关导通,则增加信号幅度放大倍数,即增加解调灵敏度;如果第四开关导通,则继续增加信号幅度放大倍数,即继续增加解调灵敏度。本发明根据系统或者根据读卡机需求调整解调电路的灵敏度,使得卡片顺利完成包络信号的解调。
技术领域
本发明涉及一种灵敏度可调的解调电路,用于RFID(射频识别)电路设计中,属于模拟集成电路中解调电路领域。
背景技术
在射频识别电路设计中,解调电路是核心模块之一。解调电路需要将载波中的数据信号解调出来,再输入给数字模块作后续处理。对于射频识别的标签而言,信号首先通过电感耦合到卡片,经过整流后输出给解调电路。解调电路一般由耦合电路,检波滤波电路,高通电路,放大电路,迟滞比较器以及驱动电路组成,如图1所示。解调电路中的检波滤波电路是将经过整流后的电流信号检出来并转换成电压信号,同时对信号中的载波信号进行滤波,尽量衰减其载波信号的幅度。高通电路主要是隔离直流电压信号,使得数据交流信号可以通过且将数据信号送入到后续的放大电路中。放大电路是将检波出来的信号进一步放大。迟滞比较器是对放大的信号进行比较,从而解调出对应的数字信号。驱动电路是进一步驱动解调出来的数字信号,以便送给数字电路进一步处理。
由于不同型号的读卡机发出来的场强有大有小,发出来信号的质量也是有好有差,而卡片工作环境又是复杂多样的,因此在整个通讯过程中,很可能由于卡片无法解调出信号而导致通讯中止。当卡片工作场强比较小时,信号的包络就会比较小;当卡片工作距离变大时,信号的包络也会比较小;当卡片工作在高速通讯速率时,其信号的包络幅度更加会相应变小。这些变化都容易导致包络信号无法解调。导致信号无法解调比较常见的原因就是解调电路的灵敏度过低,因此这些情况下就需要增加解调电路的解调灵敏度。但如果将解调电路的灵敏度设置过高,就会大大降低卡片的抗干扰能力,将不该解调出来的信号解调出来。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种灵敏度可调的解调电路,根据系统或者根据读卡机需求调整解调电路的灵敏度,使得卡片顺利完成包络信号的解调。
为解决上述技术问题,本发明的灵敏度可调的解调电路,由耦合电路,检波滤波电路,高通电路,放大电路,迟滞比较器以及驱动电路组成;上述各组成部分依次相互连接;其中,
所述放大电路,包括:第七NMOS晶体管MN7,第八NMOS晶体管MN8,第十三NMOS晶体管MN13至第十八NMOS晶体管MN18,第五PMOS晶体管MP5,第六PMOS晶体管MP6,第十一PMOS管MP11至第十六PMOS晶体管MP16,第三开关K3和第四开关K4;
第五PMOS晶体管MP5的源极和电源电压端VDD相连接;第五PMOS晶体管MP5和第八NMOS晶体管MN8的栅极与所述高通电路的输出端相连接;第五PMOS晶体管MP5的漏极与第六PMOS晶体管MP6的源极相连接,第七NMOS晶体管MN7的源极与第八NMOS晶体管MN8的漏极相连接,第八NMOS晶体管MN8的源极接地;第六PMOS晶体管MP6的栅极和漏极与第七NMOS晶体管MN7的栅极和漏极相连接,其连接的节点设为C;
第十一PMOS晶体管MP11的源极和电源电压端VDD相连接;第十一PMOS晶体管MP11的漏极与第十二PMOS晶体管MP12的源极相连接;第十二PMOS晶体管MP12的漏极与第十三NMOS晶体管MN13的漏极以及所述C端相连接;第十三NMOS晶体管MN13的源极与第十四NMOS晶体管MN14的漏极相连接,第十四NMOS晶体管MN14的源极接地;第十一PMOS晶体管MP11、第十二PMOS晶体管MP12、第十三NMOS晶体管MN13和第十四NMOS晶体管MN14的栅极与所述高通电路的输出端相连接;
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