[发明专利]等离子刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201410441419.0 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104299881B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 潘无忌 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 吴俊
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 等离子 刻蚀 设备
【权利要求书】:

1.一种等离子刻蚀设备,其特征在于,所述等离子刻蚀设备包括一圆形的加热装置,所述加热装置下方固定设置有一圆形的喷头,所述加热装置与所述喷头的外侧被一环形的基座所包围;

所述基座的正下方设置有一上接地环,位于所述上接地环与所述基座之间设置有一环形的填隙片,利用所述填隙片将所述上接地环与所述基座之间的间隙进行填充。

2.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述填隙片采用弹性材料。

3.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述填隙片采用耐高温材料。

4.如权利要求2或3所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述填隙片的材料为石墨或硅胶。

5.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述填隙片为可拆卸式的填隙片。

6.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述等离子刻蚀设备应用于深反应离子刻蚀工艺中。

7.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述上接地环与所述填隙片之间均设置有螺纹孔,通过螺栓将所述上接地环与所述填隙片固定在所述基座下方。

8.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述填隙片将所述基座的整个下表面予以覆盖。

9.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述等离子刻蚀设备位于一密闭的腔室内,所述腔室内位于所述等离子刻蚀设备正下方设置有一静电吸盘,所述静电吸盘用于放置待刻蚀的晶圆。

10.如权利要求1所述的等离子刻蚀设备,其特征在于,所述喷头与所述加热装置的内径相等。

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