[发明专利]一种检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法

权利要求书

1.一种检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、于一衬底分别掺杂P型离子和N型离子，形成多个离子阱组，各所述离子阱组均包括相邻的一P型离子阱和一N型离子阱，且任一离子阱组中的P型离子阱与N型离子阱之间的间距较其他余下离子阱组中的P型离子阱与N型离子阱的间距不同；

步骤S2、于所述P型离子阱上制作一NMOS晶体管，于所述N型离子阱上制作一PMOS晶体管；

步骤S3、形成位于所述NMOS晶体管和PMOS晶体管各自包括的源极、漏极上的金属接触孔；

步骤S4、观察各离子阱组中邻近PMOS晶体管的P型离子阱的源极或漏极与邻近NMOS晶体管的N型离子阱的源极或漏极上的金属接触孔的亮暗变化；

其中，通过观察所述金属接触孔的亮暗变化，检测P型离子阱或N型离子阱的形貌变化对器件性能未造成负面影响的P、N型离子阱的最小安全间距；

若其中一离子阱组的金属接触孔的亮暗未出现变化，且与其相邻的离子阱组的金属接触孔的亮暗出现变化，则金属接触孔的亮暗未出现变化的离子阱组所包括的P型离子阱和N型离子阱之间的距离即为离子阱扩散的最小安全间距。

2.如权利要求1所述的检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，其特征在于，所述P型离子阱与所述N型离子阱间的间距以制造工艺中离子阱间距最小距离为基准等比例放大组成所述离子阱组。

3.如权利要求2所述的检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，其特征在于，所述放大比例为正负50％。

4.如权利要求1所述的检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，其特征在于，步骤S1中，采用离子注入法于所述衬底中分别注入不同种类和不同剂量的P型离子和N型离子。

5.如权利要求1所述的检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，其特征在于，步骤S1中，采用离子注入法于所述衬底中分别注入不同种类或不同剂量的P型离子和N型离子。

6.如权利要求1所述的检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，其特征在于，通过一电子显微镜观察所述源极、漏极上的金属接触孔的亮暗变化。