[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效

申请号：	201410442080.6	申请日：	2014-09-02
公开（公告）号：	CN105448904B	公开（公告）日：	2019-02-19
发明（设计）人：	黄建翔;洪梓健	申请（专利权）人：	展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号：	H01L25/075	分类号：	H01L25/075;H01L21/50
代理公司：	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334	代理人：	汪飞亚
地址：	518109 广东省深圳市宝***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	发光二极管封装结构及其制造方法
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【说明书】：

一种发光二极管封装结构，包括基板以及覆晶设置在基板上的发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒包括磊晶结构及设置在磊晶结构上的第一电极及第二电极，所述第一电极及第二电极包覆在保护层内。本发明还涉及这种发光二极管封装结构的制造方法。所述发光二极管晶粒的第一电极及第二电极均包覆在保护层的内部，减小了水、气等对第一电极及第二电极的侵袭，提高了整个发光二极管封装结构的可靠性。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

传统的发光二极管包括基板、设置在基板上的电极结构、设置在基板上且与电极结构电性连接的发光二极管晶粒。发光二极管晶粒包括磊晶结构及设置在磊晶结构上的第一电极及第二电极。所述发光二极管晶粒通过第一电极与第二电极分别与所述电极结构对应焊接。然而，传统发光二极管焊接至基板后，第一电极及第二电极外露在空气中，从而导致第一电极及第二电极易被水、气等侵袭，从而导致发光二极管的可靠性较差。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可靠性高的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，包括基板以及覆晶设置在基板上的发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒包括磊晶结构及设置在磊晶结构上的第一电极及第二电极，所述第一电极及第二电极包覆在保护层内。

一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括：

在磊晶结构的一侧表面形成光阻层；

去除部分光阻层以形成贯穿光阻层的多个第一沟道；

在所述多个第一沟道内填充形成金属层；

去除剩余的的光阻层，以在金属层之间形成第二沟道；

在所述第二沟道内设置绝缘层，形成发光二极管晶粒，所述金属层分别形成第一电极及第二电极；

将所述发光二极管晶粒固定至基板上；

在所述发光二极管晶粒的第一电极及第二电极外露的表面形成覆盖第一电极及第二电极的保护层。

本发明的发光二极管封装结构及其制造方法中，由于所述发光二极管晶粒的第一电极及第二电极均包覆在保护层的内部，减小了水、气等对第一电极及第二电极的侵袭，提高了整个发光二极管封装结构的可靠性。