[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的基板处理方法以及基板处理装置。在成为处理对象的基板中，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmission Display：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，有时一边通过旋转卡盘使基板旋转，一边对基板依次供给温度不同的处理液。例如，在日本国特开2009-238862号公报中公开有：对旋转的基板的上表面供给了高温的SPM(Sulfuric Acid-Hydrogen PeroxideMixture：硫酸-双氧水混合物)之后，对由SPM覆盖的基板的上表面供给常温的DIW(Deionized Water：去离子水)，清洗掉附着在基板的上表面上的SPM。

当高温的SPM等高温处理液被供给到基板上时，基板自身的温度变高。在以高温处理液覆盖基板的状态下，当开始供给常温的DIW等低温处理液时，在低温处理液的着落位置以及其附近的位置(下面称为着落位置附近区域)基板温度会急剧且急速降低。因此，在着落位置附近区域产生使基板收缩的应力，并且由于着落位置附近区域和处于高温状态的其他区域的温度差，基板以弯曲或者呈波浪状起伏的方式变形。当低温处理液充分遍及基板时，基板的各部分的温度差变小，因此虽然能够消除这样的变形，但是在此之前，基板持续变形了的状态。

在夹持式的旋转卡盘中，多个卡盘销被按压到基板的周缘部上。如果在多个卡盘销被按压到基板的周缘部上的状态下基板发生变形，则各卡盘销对基板的按压压力发生变化，旋转卡盘对基板进行保持的稳定性有可能降低。此外，在真空式的旋转卡盘中，基板的下表面被旋转基座(吸附基座)的上表面吸附。在基板的下表面被旋转基座的上表面吸附的状态下基板发生变形时，基板的下表面和旋转基座的上表面之间的紧密接触状态发生变化，旋转卡盘对基板进行保持的稳定性就有可能降低。

在前面论述的公报中公开了将高温(例如150℃)的SPM和常温(例如25℃)的DIW供给到基板的内容。因此，在基板和DIW之间存在100℃以上的温度差的状态下，能够开始供给作为低温处理液的DIW。本发明的发明人能够确认的是，所述基板的变形不限于基板和低温处理液的温度差是100℃以上的情况，在不到100℃(例如60℃)时也有可能产生。因此，所述基板的变形不限于依次供给高温的SPM和常温的DIW的情况，在将有温度差的其他处理液依次供给到基板上的情况下也有可能产生。

发明内容

本发明的目的之一是抑制开始供给处理液时基板的局部温度变化。

本发明的一个实施方式提供一种基板处理方法，优选包括：药液供给工序，将第1温度的药液供给到基板的主面，冲洗液供给工序，在所述药液供给工序之后，通过将比第1温度低的第2温度的冲洗液供给到基板的主面，来冲洗残留在基板上的液体，以及反应液供给工序，在所述药液供给工序后且在所述冲洗液供给工序前，在所述药液供给工序中供给到基板的药液残留在基板上的状态下，将液温比第1温度低且在第2温度以上的反应液供给到基板的主面，该反应液能够通过与药液混合发生发热反应。

根据本方法，第1温度(供给到基板之前的药液的温度)的药液被供给到基板的主面上。而且，在药液残留在基板上的状态下，反应液被供给到基板的主面上。供给到基板的反应液与残留在基板上的药液混合。因此，残留在基板上的液体(含有药液与反应液的液体)中的反应液的比例升高，药液的浓度降低。在反应液被供给到基板之后，温度比第1温度低的第2温度(供给到基板之前的冲洗液的温度)的冲洗液被供给到基板的主面上。由此，残留在基板上的液体被冲洗。