[发明专利]信号发生电路和温度传感器

权利要求书

1.一种温度传感器，包括：

信号发生电路，所述信号发生电路输出与绝对温度成比例的电压；以及

放大器电路，所述放大器电路放大所述信号发生电路的输出电压，

其中，所述放大器电路包括：

运算放大器，所述运算放大器的非反相输入端接收所述信号发生电路的输出电压；以及

分压电路，所述分压电路对所述运算放大器的输出电压进行分压，并且将分压提供给所述运算放大器的反相输入端，

其中，所述运算放大器包括：

包括第一P型晶体管和第二P型晶体管的差分放大器以及包括第一N型晶体管和第二N型晶体管的差分放大器，所述第一P型晶体管的源极和所述第二P型晶体管的源极被彼此连接并且接收第一恒流，并且所述第一P型晶体管的栅极和所述第二P型晶体管的栅极分别用作所述非反相输入端和所述反相输入端，所述第一N型晶体管的漏极被连接到所述第一P型晶体管的漏极，所述第一N型晶体管的源极被连接到接地电压，所述第二N型晶体管的漏极被连接到所述第二P型晶体管的漏极，并且所述第二N型晶体管的源极被连接到接地电压，并且所述第一N型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极被连接到所述第二P型晶体管的漏极；

源极接地放大器，所述源极接地放大器包括第三N型晶体管，所述第三N型晶体管的栅极连接至所述第一P型晶体管的漏极，所述第三N型晶体管的漏极接收第二恒流，并且所述第三N型晶体管的源极接收所述接地电压；

源极跟随放大器，所述源极跟随放大器包括第四N型晶体管，所述第四N型晶体管的栅极连接至所述第三N型晶体管的漏极，所述第四N型晶体管的漏极接收电源电压，并且所述第四N型晶体管的源极和背栅极用作所述运算放大器的输出端；以及

相位补偿电路，所述相位补偿电路包括串联连接在所述第三N型晶体管的漏极和所述第一P型晶体管的漏极之间的变抗器电容元件和第一电阻元件。

2.根据权利要求1所述的温度传感器，

其中，所述变抗器电容元件包括：

N型半导体衬底，所述N型半导体衬底经由所述第一电阻元件连接至所述第一P型晶体管的漏极；以及

栅电极，所述栅电极经由栅绝缘膜形成在所述N型半导体衬底的表面上方，并且连接至所述第三N型晶体管的漏极。

3.根据权利要求2所述的温度传感器，

其中，所述相位补偿电路还包括并联连接至所述变抗器电容元件的电容器，以及

其中，所述电容器包括第一和第二电极，所述第一和第二电极在所述栅电极之上使用相同金属布线层来被形成，并且在中间留有间隙的情况下彼此相邻设置。

4.根据权利要求1所述的温度传感器，还包括可变电导电路，所述可变电导电路的电导在所述运算放大器的输出端的电压高于要被建立的电压期间内增大，所述可变电导电路被连接在所述运算放大器的输出端和第一基准电压的线路之间。

5.根据权利要求4所述的温度传感器，

其中，所述可变电导电路包括二极管，所述二极管的阳极连接至所述运算放大器的输出端，并且所述二极管的阴极连接至所述第三N型晶体管的漏极。

6.根据权利要求4所述的温度传感器，

其中，所述放大器电路还包括开关，该开关的一侧端子连接至所述运算放大器的输出端，该开关的另一侧端子用作所述温度传感器的输出端，并且该开关响应于输出使能信号而导通，以及

其中，所述可变电导电路包括第五N型晶体管，所述第五N型晶体管连接在所述运算放大器的输出端和所述第一基准电压的线路之间，并且所述第五N型晶体管响应于所述输出使能信号而在预定时间内导通。

7.根据权利要求4所述的温度传感器，

其中，所述可变电导电路包括：

第五N型晶体管，所述第五N型晶体管连接在所述运算放大器的输出端和所述第一基准电压的线路之间；

电压发生电路，所述电压发生电路基于所述信号发生电路的输出电压，来产生高于要由所述运算放大器输出的电压的第二基准电压；以及

比较器电路，所述比较器电路在所述运算放大器的输出端的电压高于所述第二基准电压时导通所述第五N型晶体管。

8.根据权利要求1的温度传感器，

其中，所述信号发生电路包括：

第一二极管，所述第一二极管的阳极连接至第二节点；

第二电阻元件，所述第二电阻元件的一侧端子连接至第一节点；

第二二极管，所述第二二极管的阳极连接至所述第二电阻元件的另一侧端子，所述第二二极管的阴极连接至所述第一二极管的阴极，并且所述第二二极管具有大于所述第一二极管的电流驱动能力；

电流源，所述电流源致使所述第一和第二节点具有相同电压，并且将相同值的电流馈送至所述第一和第二二极管；以及

输出电路，所述输出电路连接在所述第一和第二二极管的阴极和接地电压的线路之间，并且基于流经所述第一和第二二极管的电流之和的电流，来输出与绝对温度成比例的电压。