[发明专利]一种LDMOS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410443311.5 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105374686A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 制作方法 | ||
1.一种LDMOS器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有漂移区；
在所述半导体衬底上形成栅极材料层，在所述栅极材料层上形成负性光刻胶层；
图案化所述负性光刻胶层，以图案化的所述负性光刻胶层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，以形成栅极；
在所述半导体衬底和图案化的所述负性光刻胶层上形成具有开口的光刻胶层，所述开口对应预定形成体区的位置；
以所述栅极和位于所述栅极上方的所述负性光刻胶层作为自对准层，进行体区注入。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述栅极材料之前，还包括在所述漂移区上方形成场氧化层的步骤。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述栅极延伸至部分所述场氧化层上方，形成场板。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述体区注入具有很高的注入能量，所述注入能量为100KeV～800KeV。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过斜角度注入方式，进行所述体区注入。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述体区注入步骤后，不执行退火推阱的热过程。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述体区注入步骤完成后，还包括同时去除所述栅极上的所述负性光刻胶层和所述具有开口的光刻胶层的步骤。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法适用于带有场区的NLDMOS，无场区或无浅沟槽隔离结构的NLDMOS，以及PLDMOS。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410443311.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：语音包发送、接收的方法、装置和系统
- 下一篇：搜索可视信息的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
