[发明专利]一种晶边刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201410443599.6 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104201095A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 周玉;陈俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 | ||
1.一种晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述工艺包括：
提供一制备有氧化物薄膜的晶圆；
采用清洗溶液对所述晶圆的背面去除金属污染的同时，对所述晶圆的正面进行保护气体喷洒工艺，以保护所述晶圆的正面部分区域不受所述清洗溶液的侵蚀；
其中，通过调整喷洒所述保护气体的流量及所述晶圆的转速，以利用所述清洗溶液去除位于所述晶圆晶边的所述氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述晶圆上设置有器件区和非器件区；
其中，利用所述氢氟酸溶液去除位于所述晶圆晶边的覆盖所述非器件区的所述氧化物薄膜。
3.如权利要求1所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述保护气体为惰性气体。
4.如权利要求1所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述保护气体为氮气。
5.如权利要求1所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述清洗溶液为氢氟酸溶液。
6.如权利要求5所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度配比大于30％。
7.如权利要求6所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度配比为49％。
8.如权利要求7所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述晶圆的转速为400～600转/分钟。
9.如权利要求8所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述晶圆的转速为500转/分钟。
10.如权利要求1～9中任意一项所述的晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述工艺还包括：
保持所述晶圆的转速为一恒定值，通过调整喷洒所述保护气体的流量，以利用所述清洗溶液去除位于所述晶圆晶边的所述氧化物薄膜。
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