[发明专利]小尺寸图形的制作方法

权利要求书

1.一种小尺寸图形的制作方法，先在晶圆表面采用热氧化法生长一层氧化硅，接着沉积一层多晶硅，然后沉积一层氮化硅，通过后续光刻以及刻蚀工艺形成多晶硅线形阵列图形，接着应用LEC工艺对多晶硅线形阵列图形进行曝光和刻蚀，其特征在于，所述小尺寸图形的制作方法还包括：

利用低温原子层沉积技术沉积一层氧化硅薄膜；

利用干法刻蚀工艺依次对所述氧化硅薄膜、所述含硅抗反射涂层、所述旋涂碳氧化物、所述氮化硅进行刻蚀，最终停在所述多晶硅上；

通过等离子体刻蚀工艺祛除所述旋涂碳氧化物残留；

最后利用所述氮化硅作为阻挡层刻蚀所述多晶硅，形成小尺寸且可调控的图形结构。

2.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述采用低温原子层沉积技术沉积的氧化硅薄膜的厚度介于5纳米至15纳米之间。

3.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述低温原子层沉积技术的温度介于50°至100°之间。

4.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺进一步包括：

为所述低温原子层沉积的氧化硅薄膜回刻；

为所述含硅抗反射涂层刻蚀；

为所述旋涂碳氧化物刻蚀；

为所述氮化硅刻蚀。

5.根据权利要求4所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，为所述低温原子层沉积的氧化硅薄膜进行回刻，使用CF4，CHF3混合气体祛除光刻胶顶部以及含硅抗反射涂层顶部的氧化硅，在所述光刻胶侧壁形成氧化硅侧墙。

6.根据权利要求5所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，为所述含硅抗反射涂层刻蚀，使用CF4，CH2F2混合气体并利用所述光刻胶和所述氧化硅侧墙为阻挡层对所述含硅抗反射涂层进行刻蚀。

7.根据权利要求6所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，为所述旋涂碳氧化物刻蚀，使用SO2，O2混合气体并利用所述光刻胶和所述氧化硅侧墙为阻挡层对所述旋涂碳氧化物进行刻蚀。

8.根据权利要求7所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，为所述氮化硅刻蚀，使用CF4，CHF3混合气体刻蚀氮化硅对多晶硅高选择比特性，并利用所述光刻胶和所述氧化硅侧墙以及所述含硅抗反射涂层为阻挡层对所述氮化硅进行刻蚀，最终消耗完所述光刻胶和所述氧化硅侧墙以及所述含硅抗反射涂层，并且所述旋涂碳氧化物有少量损失。

9.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，利用所述氮化硅作为阻挡层刻蚀所述多晶硅采用CL2，SF6，CF4混合气体进行刻蚀，最终形成所述小尺寸的图形结构。