[发明专利]消除浅沟槽隔离凹坑的方法

权利要求书

1.一种消除浅沟槽隔离凹坑的方法，其特征在于，所述消除浅沟槽隔离凹坑的方法，包括：

执行步骤S1：对浅沟槽隔离之浅沟槽进行浅沟槽隔离氧化物填充，并通过化学机械研磨工艺实现平坦化；

执行步骤S2：对经过化学机械研磨之浅沟槽隔离氧化物层进行湿法刻蚀；

执行步骤S3：去除形成在硅基衬底上的衬垫氮化硅层和衬垫氧化层；

执行步骤S4：在所述硅基衬底及浅沟槽隔离氧化物之表面沉积多晶硅层；

执行步骤S5：对所述多晶硅层进行干法刻蚀，仅在所述浅沟槽隔离氧化物之两侧形成多晶硅侧墙；

执行步骤S6：在所述硅基衬底上沉积掩模氧化物层；

执行步骤S7：以所述掩模氧化物层为掩模进行离子植入，定义有源区；

执行步骤S8：湿法刻蚀去除所述掩模氧化物层；

执行步骤S9：湿法刻蚀去除所述多晶硅侧墙，获得无凹坑之浅沟槽隔离。

2.如权利要求1所述的消除浅沟槽隔离凹坑的方法，其特征在于，所述步骤S2中的湿法刻蚀仅刻蚀去除部分浅沟槽隔离氧化物层，以在所述浅沟槽隔离氧化物层之外侧与所述有源区之间形成沟道。

3.如权利要求1所述的消除浅沟槽隔离凹坑的方法，其特征在于，所述步骤S3中对所述衬垫氧化物层的刻蚀为定量刻蚀。

4.如权利要求1所述的消除浅沟槽隔离凹坑的方法，其特征在于，所述步骤S8中对所述掩模氧化物层的刻蚀为过量刻蚀。