[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构在审
| 申请号： | 201410444172.8 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104157701A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李文辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 tft 制作方法 结构 | ||
1.一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(2)；
步骤2、在所述栅极(2)与基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；
步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上形成漏极(4)、源极(5)及氧化物半导体层(6)。
2.如权利要求1所述的氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3的具体操作为：
步骤31、在所述栅极绝缘层(3)上沉积并图案化第二金属层，形成漏极(4)；
步骤32、在所述漏极(4)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物导体层，形成沟道(51)及源极(5)，所述漏极(4)与氧化物导体层搭接；
步骤33、在所述漏极(4)与源极(5)上沉积并图案化氧化物半导体层，得到氧化物半导体层(6)。
3.如权利要求1所述的氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3的具体操作为：
步骤311、在栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物导体层，形成沟道(51)及源极(5)；
步骤312、在所述氧化物导体层和栅极绝缘层(3)上沉积并图案化第二金属层，形成漏极(4)，所述漏极(4)与氧化物导体层搭接；
步骤313、在漏极(4)与源极(5)上沉积并图案化氧化物半导体层，得到氧化物半导体层(6)。
4.如权利要求1所述的氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述图案化通过黄光与蚀刻制程实现。
5.如权利要求1所述的氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述基板(1)为玻璃基板，所述氧化物半导体层(6)为IGZO。
6.如权利要求2所述的氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物导体层为ITO或IZO，所述氧化物导体层的厚度小于漏极(4)的厚度。
7.如权利要求1所述的氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源极(5)同时作为像素电极。
8.一种氧化物半导体TFT基板结构，其特征在于，包括：基板(1)、位于基板(1)上的栅极(2)、位于基板(1)和栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、位于栅极绝缘层(3)上的漏极(4)与源极(5)、所述漏极(4)与源极(5)之间的沟道(51)、及位于漏极(4)与源极(5)上的氧化物半导体层(6)。
9.如权利要求8所述的氧化物半导体TFT基板结构，其特征在于，所述沟道(51)与源极(4)由氧化物导体层定义而成。
10.如权利要求9所述的氧化物半导体TFT基板结构，其特征在于，所述氧化物导体层为ITO或IZO；所述氧化物导体层的厚度小于漏极(4)的厚度；所述氧化物半导体层(6)为IGZO；所述源极(5)同时作为像素电极。
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